Содержание

Недвижимость в Сочи. Обман при покупке жилья в Сочи. Оползни в Сочи. Качество жилья. Сочи 2021. Цены август 2021 | НГС

— Дома за 20 миллионов в селе Черешня, Казачий Брод, переоцененные дома на Ручье Видном в Хосте, геологи советуют не связываться с этими районами, потому что там вся земля очень нестабильно себя ведет. На Ручье Видном покупает очень респектабельная и состоятельная публика и считает, что жить там престижно, но они недопонимают специфику Сочи и не догадываются проверить геологию участков, — рассказал Николай.

Инженер-геолог, директор ООО «Геолог» Иван Безруков рассказал корреспонденту 93.RU, что 80 процентов Сочи находится в зоне развития оползневых процессов, остальные 20 процентов — в зонах затопления. Есть участки 1-й категории, благоприятные для строительства, но их крайне мало. Самые опасные участки для строительства: это район Звездочки и Ручей Видный в Хосте, в Адлере — село Молдовка и Высокое. В Сочи это Мамайка, район Целинной и многие другие. Село Черешня, которое сейчас активно застраивается, также входит в зону оползневых процессов, строить там можно, но только с выполнением всех правил строительства.

— Там обязательно нужны свайные фундаменты. Если есть склон, надо понимать, что первостепенные оползневые процессы происходят именно на участках на склоне, грунты под действием тяжести начинают сползать. Второй момент — это гидрогеологические условия, постоянные осадки. Если построили дом летом, осенью, зимой пошли обильные осадки, уже грунт начнет ползти. Это всё нужно учитывать, — рассказал Иван.

Он советует, что прежде всего перед началом строительства необходимо обследовать участок, а уже потом с учетом заключения специалиста проектировать дом. Бывают случаи, когда владельцы заказывают геологическое обследование на участке, где уже построен дом. Например, на улице Банановой активизировался оползень, о котором новые владельцы не знали, и снес опорную стену, которая была построена без свай и без инженерной защиты. Пробурили, и оказалось, что даже на глубине 10 метров нет коренных пород и для строительства опорной стены нужно бурить еще глубже и забивать под нее не менее шести свай. Забиты ли сваи под домом на нужную глубину — непонятно, дом пока стоит, но и это дело времени.

С фигой в кармане. Ученые советы БашГУ и УГАТУ проголосовали за слияние

20 апреля ученые советы Башкирского государственного университета и Уфимского государственного авиационного технического университета сделали важнейший выбор — проголосовали по вопросу будущего объединения двух вузов. В УГАТУ почти все проголосовали в пользу этого решения, только один голос против, а вот с БашГУ вопрос не очень ясен. Переносы заседаний, собрания коллектива, открытые выступления в СМИ и соцопрос – вроде бы говорили, что коллектив БашГУ готов к длительному противостоянию. Но сопротивление членов ученого совета БашГУ оказалось неожиданно слабым, сами они это объясняют тем, что власти республики пошли на большие уступки.

Точные цифры по голосованию в БашГУ назвать практически невозможно. Члены ученого совета предполагали провести тайное голосование, власти же настаивали на открытой процедуре под наблюдением самого Радия Хабирова. Так в итоге и случилось. Открыто выступили против слияния с УГАТУ

Роберт Якшибаев, Зиганур Фазуллин, Венера Муратова и Леонид Ястребов. Наш собеседник из числа членов совета говорит, что проголосовавших против было, возможно, больше, но при этом само открытое голосование не позволило всех увидеть. И совсем непонятно, как посчитали воздержавшихся. Но как бы то ни было, сразу несколько членов совета, которые проголосовали противоположно, отметили, что даже при тайном голосовании исход был бы неясным — часть членов ученого совета власти региона смогли убедить. При этом сами участники голосования держали фигу в кармане. Разберемся, почему.  

Слияние пока под вопросом

С самого начала этой истории сложилось впечатление, что ее инициаторы в лице руководителя Администрации Главы РБ Александра Сидякина, советника Главы РБ Руслана Казыханова и вице-премьера

Азата Бадранова имеют лишь общее представление о процедуре объединения, без всех важных деталей. Это предположение оказалось верным. Дело в том, что конкурсная документация по программе «Приоритет – 2030» вышла только 29 марта. При этом даже эта версия документа не является окончательной, а после внесения более 50 поправок новая редакция начнет действовать в начале мая. В течение месяца после опубликования окончательных конкурсных условий соискатели должны подать свой список документов и программу. Только 40 из них войдут в программу «Приоритет – 2030». Как говорят в обоих башкирских вузах, в протоколы заседаний ученых советов внесен пункт о том, что слияние заточено исключительно под данную федеральную программу.

– Мы голосовали «за» слияние, но в кармане держали фигу. Если мы не проходим в «Приоритет – 2030», то объединения не будет. Это будет просто неактуальным, – говорит собеседник в БашГУ.

 Обошли на повороте

В конкурсных требованиях обозначен еще один немаловажный аспект. В программу «Приоритет – 2030» могут попасть лишь два типа научно-образовательных учреждений: исследовательские либо территориальные с отраслевыми. При этом заявку может подать только одно юридическое лицо. Власти Башкирии этот момент изначально упустили, но после консультаций с Минобрнауки РФ стало понятно, что нужно выбирать между БашГУ и УГАТУ. Предполагалось, что заявку подаст ректор УГАТУ Сергей Новиков. В УГАТУ даже поспешили создать какой-то Центр трансформации. Часть коллектива под этим соусом убеждали, что авиационный вуз поглотит БашГУ, а часть преподавателей УГАТУ осталась безразличной. БашГУ же этот вариант не устроил. Во-первых, контингент БашГУ значительно больше, история классического университета имеет более глубокие корни, и, главное, показатели выше, чем в УГАТУ. На предварительных консультациях и совещаниях этот факт был озвучен. В итоге для Сергея Новикова стало шоком то, что заявку будет подавать ректор БашГУ

Николай Морозкин. Его просто обошли на повороте.

Но авиаторов обошли и статусом исследовательского центра, а именно на нем они поначалу настаивали, и вроде даже получили поддержку советника Главы Башкирии по науке Руслана Казыханова и руководителя Администрации Главы РБ Александра Сидякина. Но под критерии «исследовательского» не подходят многие гуманитарные специальности БашГУ, а, значит, – они рисковали попасть под сокращение. Такой угрозы нет при получении статуса территориального или отраслевого центра.

– Во-первых, мы сохраняем коллег-гуманитариев, а во-вторых, статус территориального центра позволит нам сохранить стабильное финансирование. Курс поменялся, в Москве осознали, что специалисты нужны в регионах, столицы и так их высасывают. Поэтому финансовая поддержка будет оказываться региональным вузам.

Отметим, что эти слова одного из руководителей БашГУ прозвучат и в ежегодном Послании Президента РФ. Владимир Путин отметил, что регионам будут выделены дополнительные финансы и бюджетные места.

Таким образом, пальма первенства в вопросе слияния пока за БашГУ. Это, к слову, вполне себе логично. Разговаривают и договариваются только с тем, кто сопротивляется и защищает свои интересы. Пассивность коллектива УГАТУ и привела к такому результату. В любом случае вселяет надежду то обстоятельство, что в этой спорной и конфликтной теме руководство республики и ученое сообщество смогли понизить градус страстей. Посмотрим, не будут ли представители обоих вузов обмануты.



Многовековая дружба с фигой в кармане

На форумах ЕС и НАТО руки друг другу пожимали, но с «фигой в кармане». А в 2010 году снова чуть не разругались вдрызг. Буквально накануне своей гибели 10 апреля 2010 года президент Польши Лех Качиньский посетил с государственным визитом Литву. Ему обещали, что в эти дни Сейм примет окончательное решение по возврату земли литовским полякам и разрешит им писать имена и фамилии с использованием букв польского алфавита.

Но правившие в тот момент в Литве консерваторы достали фигу из кармана и демонстративно показали ее польскому президенту. Законы были отклонены. Лех Качиньский вернулся домой в грустном настроении, а через день погиб в авиакатастрофе под Смоленском. Отношения между Варшавой и Вильнюсом были заморожены.

И лишь трагические события на Украине 2014 года вернули Литву и Польшу в теплые объятия друг друга. Сегодня их отношения основываются на оголтелой русофобии, совместном переписывании истории и проектах по обретению энергетической независимости от России.

«Наши народы связаны прочными историческими связями. Конституция (1791 года. – Sputnik) и лозунг «За нашу и вашу свободу» вдохновлял целые поколения в борьбе за свободу и независимость. Сотрудничество в ЕС и НАТО, основанное на общих ценностях и принципах демократии, показывает, что Польша и сегодня остается нашим близким соседом, мы общаемся по множеству актуальных вопросов», – пафосно поздравлял польских соседей президент Литвы Гитанас Науседа 2 мая 2020 года.

Долго ли продлится этот новый период литовско-польской дружбы «с фигой в кармане»? Предположить нетрудно. Уже сейчас Варшава перетягивает на себя одеяло лидерства в постсоветской Европе не только в международной политике, но и в экономике.

Ставит палки в гребной винт литовского терминала сжиженного природного газа (ТСПГ) Independence, прилагает все усилия, чтобы привязать Литву через электромосты. Долго ли это будут терпеть гордые литовцы? Ведь и совместная Конституция Королевства Польского и Великого княжества Литовского просуществовала недолго. Юридическую силу она потеряла уже через 19 месяцев после подписания. 23 ноября 1793 года ее действие аннулировал Гродненский сейм. А к 1795 году Речь Посполитая, после Второго и Третьего разделов, и вовсе прекратила существование как независимое государство.

Мнение автора может не совпадать с позицией редакции.

Об истоках позора в пяти фотографиях: a_nalgin — LiveJournal


Фото © Reuters.

Западной журналистики не откажешь в искусстве кадра с потаённым смыслом. Или с фигой в кармане, как на заглавном фото. Но как самая могущественная страна мира, ещё не так давно заявлявшая, мол, «мы даже не можем себе представить, что покинем эту страну», и её самая сильная в мире армия могли до такого дойти?

Возможно, вот эти пять фотографий из 20-летней истории американского военного присутствия в Афганистане помогут если не понять, то вспомнить.

2001 год.


7 октября 2001 года #США вместе с британскими союзниками официально начали операцию «Несокрушимая свобода». В этой фазе войны участие западных сил сводилась к бомбардировкам позиций «Талибана» и «Аль-Каиды» (обек организации запрещена в России) с воздуха. Первый контингент наземных войск прибыл в Афганистан в конце октября. На фото бомбардировщик B-1B Lancer ВВС США наносит авиационный удар в ранней фазе войны.

2003 год.


Силы «Талибана» и «Аль-Каеды» перегруппировались и начали совершать партизанские вылазки, нанося удары по позициям коалиционных сил. В ответ американцы ужесточили репрессии. На фото афганец и его сын наблюдают, как бойцы 82-й воздушно-десантной дивизии армии США готовятся к обыску их дома в юго-восточном Афганистане. Тогда вдруг выяснилось, что пособником террористов является практически каждый мирный дехканин.

2005 год.


Численность американского контингента в Афганистане достигла 20 тысяч человек. Войска американо-афганской коалиции периодически проводили успешные операции против партизанских отрядов «Талибана» и «Аль-Каеды». Но освободители всё менее популярны в Афганистане на фоне растущих смертей и увечий среди мирного населения. На фото Мохаммед Махди, лишившийся ноги при взрыве мины, ждет врача «Красного креста» у себя дома в Кабуле.

2009 год.


Сменивший Джорджа Буша-мл. в Белом доме президент Барак Обама поначалу объявил об отправке в Афганистан дополнительно 17 тыс. солдат американской армии. Но вылазки боевиков и удары по американским позициям становились всё чаще, а жертвы росли. В результате Барак Обама впервые озвучил дату начала вывода войск из Афганистана — июль 2011 года. Тогда же начались первые контакты с талибами на предмет условий капитуляции выхода Америки из Афганистана. На фото солдаты 1 батальона американской армии, поднятые по тревоге после обстрела своих позиций силами «Талибана» в Коренгальской долине.

2020 год.


После нескольких лет осторожных контактов, несмотря на все предыдущие заявления о недопустимости соглашений с террористами, США сели за стол переговоров с представителями «Талибана» в Катаре. После долгих месяцев переговорного процесса администрации Дональда Трампа удалось достичь согласия и подписать мирный договор, по которому американцы обязались вывести свои войска из страны в течение 14 месяцев. На фото американский дипломат Залмай Халилзад и сооснователь движения «Талибан» мулла Абдул Гани Барадар во время церемонии подписания мирного договора в столице Катара Дохе 29 февраля 2020 года. Что примечательно, афганское правительство узнало обо всём постфактум.

2021 год.

Неожиданно быстрое падение проамериканского марионеточного правительства Афганистана и шокирующие кадры штурма афганскими гражданами, имевшими неосторожность поверить США, последних улетающих из Кабула самолётов. Некоторым счастливчикам повезло.

Почти 600 человек набилось в военный транспортник, рассчитанный лишь на 200 десантников. Но те, кто остались, нашли свою смерть на взлётной полосе. Или ещё найдут по приговорам шариатских судов победителей.

Но это же всё – не повторение Сайгона 1975 года, нет?

Пикантный соус с чили из фиги и джем – рецепт с фото

Пошаговый рецепт приготовления

Фиги помыла, разрезала в четыре, насыпала ½ сахара, добавила имбирь и перемешала. Вторую половину сахара карамеллизировала, и добавила фиги, залила лимонным соком + мёд. Карамель расстаял и красиво и нежно обнял куски фиг. 20 минут проварила в скороварке. Дала остыть за ночь…

На следующий день разделила массу на большую и меньшую часть.

Соус с чили:

Меньшую начала варить, облила бальзамическим уксусом, так как они хорошо дружат, гармонизуют по вкусу, и нарезала тонкими полосочками чили и под конец бросила тоже чуть проварить. Миксером в двух-трех местах нырнула- мне больше нравится фрукт целыми кусками и залила все в стерилизованную, чистую баночку, Закрыла, перевернула на 3 минуты и закутала в одеяло до остывания.

Джем:

Подогрела фиги, приблизительно 5-10 минут кипятила и добавила джемфикс (пектин), с ней ей хватит 1 минута минутка- и сразу переложила ароматный джем в баночку, которую также перевернула крышкой вниз, когда достаточно закружилась голова, укутала за компанию к соусу в одеяло.

С остатками довольно наслаждаясь решила, что в следующий раз добавлю посмелей чили!!!

Можно конечно добавить по вкусу молотый орех или миндалины и даже чуть коньячок хорошего качества или whiskey, ouzo — божественно вкусно!

Может и есть что-то в изменении климата. В сегодняшние времена в семейных домах модное декор растение фиговое дерево (смоковница, инжир- Ficus carica). Мы тоже имеем… в прошлом году начала побольше давать плоды, 3 раза собирали за лето урожай. В этом году поздно созрели (конец сентября), но зато каждый третий день собираю достаточную порцию. Моя заготовка с фигой тестировка, стОит умножить количество и заготовить большие порции, потому что очень вкусно!!!

Дополнительная информация

Советую Вам еще приготовить заливку на салат: 2 ст. л. приготовленного джема 1 ст.л. мёда 1 ст.л. лимонного сока 1 ст л. горчицы чуть черный перец Перемешать и подавать с салатом.

Челябинский кондуктор с фигой стала новым интернет-мемом

Картинка вдохновила южноурвльцев на творчество. Фото: Наталья Ахметшина

Скандал в троллейбусе города Миасс Челябинской области перешел в Интернет-пространство. В соцсетях южноуральцы спорят, кто прав: пассажир с немецкой овчаркой, или кондуктор с фигой? Вот история от первого лица:

— Зашла я в троллейбус с собакой на поводке и в наморднике. Оплатила проезд, как положено. В ответ на слушалась матов от кондуктора в свой и моей собаки адрес, — поделилась в «ВКонтакте» жительница Миасса Наталья Ахметшина.

В процессе перебранки разозлившаяся кондуктор сунула в лицо пассажиру сложенную из пальцев фигу. В такой позе ее и сфотографировали оппоненты. Эффектный снимок попал в Интернет.

Фото: соцсети

Несколько горожан узнали женщину на фото. В комментариях пишут, что она всегда выглядит недовольной и разговаривает с пассажирами резко. Однако, многие встали на сторону кондуктора. Удовольствия в их труде мало: кто с огромным псом в салон зайдет, кто пьяным, другие бесплатно хотят проехать. Мол, иди попробуй провести такой рабочий день с улыбкой на лице. Кроме того, очевидцы перебранки сказали, что пассажир не договаривает.

— Эта дама зашла с подругой и двумя собаками: одна в наморднике, вторая без. Еще и правила давай диктовать: заплатим только за одну, — написала под фото Ангелина.

Другие очевидцы сказали, что все хороши! Обе стороны грубили, хамили и не хотели уступать друг другу. Нам стало известно, что руководство кондуктора уже в курсе истории и взяло с работницы объяснительную.

Вместо тысячи слов…

— По правилам проезда нужно было заплатить за обеих собак, но дамы начали возражать. Из-за этого завязалась словесная перепалка. Кондуктор у нас очень давно работает, на хорошем счету в коллективе. Была победителем конкурса профмастерства. Выполняет свои обязанности на все сто процентов. Немного грубовата, но без этого с нашей молодежью никак. Нашим сотрудникам приходится каждый день сталкиваться с хамством. Фото с фигой могу объяснить: кондуктор сказала пассажирке, что она находится на рабочем месте и против чтобы ее фотографировали.Пока все в стадии разбирательства. Но я думаю, что кондуктор, выполняя свои должностные обязанности, ничего не нарушила, и руководство ее не накажет, — рассказала корреспонденту газеты «Комсомольска правда» водитель троллейбуса Елена Матвеева.

Интересный штрих: на веселеньком сиреневом троллейбусе, в котором произошла перебранка, изображены кошка и собачка.

В этом троллейбусе произошла перепалка. Фото: Наталья Аношина.

Дебаты в соцсетях переросли в народное творчество. Житель Миасса Сергей Ковыляев первым предложил сделать из фото мем. Его подпись к картинке с фигой: «Коротко о понижении цен на бензин». Другой горожанин Валерий Гинстенберг закинул в соцсеть эту же картинку, но уже со своими подписями: «Доброго утра? Пляжный сезон? Зарплаты? Ровных дорог?» Фиг вам, как говорится.

В Интернете размножаются мемы с фигой кондуктора

Картинка на злобу дня. Фантазии есть, где разгуляться. К придумыванию мемов присоединился и Челябинск. А кондуктора уже окрестили в Интернете звездой и новым символом города. Кто-то даже предложил отлить бронзовую скульптуру по эскизу с фото и поставить на въезде в Миасс вместо фигуры лося.

Челябинцы переняли эстафету у миассцев.

Вместо ответа

К ЧИТАТЕЛЯМ

Вы стали свидетелем интересного события?

Сообщите об этом нашим журналистам:

Почта: [email protected]

Тел.: (351)265-80-66;

SMS: 8-902-616-06-06

с фигой — Translation into English — examples Russian

These examples may contain rude words based on your search.

These examples may contain colloquial words based on your search.

Этот человек всегда ходит с фигой в кармане.

Suggest an example

Other results

У меня была встреча с Фиг.

С фига ли удобнее платить за шикарные хоромы, когда можно зависнуть у своего менеджера?

Why would I be more comfortable paying for posh lodgings when I can stay with my manager?

Никому не говори об истории с Фиг, ладно?

Ты бывший заключённый, у которого в доме нашли 40 с фигом единиц оружия Телефонный звонок

А когда я тебя туда поведу мы закажем фуа-гра с фигами, начиненными рокфором шотландского голубя с капустой и рагу с белыми грибами.

Well, I’ll take you there and we’ll get the foie gras with Roquefort stuffed fig,

Мы обыскали все коробки и нашли большую… фигу с маслом.

We’ve looked through every box and found a big,
fat
nothing.

А, да фиг с тобой.

Да с какого фигу я тебе помогаю?

Нет, я фигею с этого города.

Я принес тебе фигу с маслом.

И фиг с ней, с этой сногсшибательной блондой.

Screw that dizzy blonde doctor girl.

Фиг с ним, с Центральным массивом.

Let’s forget the Massif Central.

Фига с два его оттуда вытащишь.

Скажи ему, чтобы он убрался на фиг с поля.

Да фиг с ним, закатывай прямо сейчас.

Нет, фиг с судебным запретом.

No, screw the restraining order.

Фига с два Маверик вырулил бы из этой западни.

Я задыхаюсь, фиг с ними.

Хотел соврать, но фиг с ним.

I was going to lie, but what the hell.

Изображений и фактов о разновидностях смоковницы

Fig Tree Pictures Добро пожаловать.

В Галерее Fig Tree Photo вы найдете множество красивых фотографий фиговых деревьев .

Фиговые деревья

Чтобы просмотреть каждое изображение фигового дерева , которое вам нравится, в полном размере, просто нажмите на изображение фигового дерева.

Вы также найдете много замечательной информации о фиговых деревьях, включая информацию о разновидностях фиговых деревьев, информацию о посадках и многое другое.

Это ценная и полезная информация, которая может помочь вам узнать больше о фиговом дереве .

Галереи деревьев, перечисленные слева, содержат факты об этом конкретном типе деревьев и множество отличных изображений этого вида деревьев.

Наслаждайтесь этими фотографиями фиговых деревьев .

Научное название инжира обыкновенного: Ficus carica

Типы фиговых деревьев: разные виды фиговых деревьев

  • Баньян Фиговое дерево
  • Китайский баньян фиговое дерево
  • Кластер фиговое дерево
  • Фиговое дерево обыкновенное
  • Фиговое дерево ползучая
  • Фиговое дерево Fiddleleaf
  • Фиговое дерево Moreton Bay
  • Каучуковое дерево
  • Плакучая смоковница

Фиговые деревья, факты и подробная информация о видах фиговых деревьев

Вот некоторые общие сведения о фиговом дереве.

Фикус — это род примерно 850 видов древесных деревьев, кустарников, лиан, эпифитов и гемиэпифитов семейства Moraceae. В совокупности известные как фиговые деревья или инжир, они произрастают в тропиках, а некоторые виды распространяются в умеренно-теплой зоне. Каучуковое растение, дерево Бо и баньяновое дерево также являются разновидностями фикуса.

Инжир обыкновенный (F. carica) — это вид с умеренным климатом, произрастающий в Юго-Западной Азии и Средиземноморском регионе, от Афганистана до Португалии, который с древних времен широко выращивался для получения плодов, также называемых инжиром.Плоды большинства других видов также съедобны, хотя обычно они имеют только местное экономическое значение или употребляются в пищу в качестве корма для кустарников. Однако они являются чрезвычайно важным пищевым ресурсом для дикой природы. Инжир также имеет большое культурное значение во всех тропиках, как объект поклонения, так и для многих практических целей.

Фикус — это пантропический род деревьев, кустарников и виноградных лоз, занимающий самые разные экологические ниши; большинство из них вечнозеленые, но некоторые лиственные виды являются эндемичными для районов за пределами тропиков и на возвышенностях.Виды инжира характеризуются своим уникальным соцветием и характерным синдромом опыления, при котором для опыления используются виды ос, принадлежащих к семейству Agaonidae.

Специфическая идентификация многих видов может быть затруднена, но инжир как группу относительно легко распознать. Многие из них имеют воздушные корни и отличительную форму или габитус, а их плоды отличают их от других растений. Плод инжира представляет собой замкнутое соцветие, иногда называемое сикониумом, похожую на урну структуру, выстланную изнутри крошечными цветками инжира.Уникальная система опыления инжира с участием крошечных высокоспецифичных ос, известных как инжирные осы, которые входят в эти закрытые соцветия, чтобы опылять и откладывать собственные яйца, была постоянным источником вдохновения и удивления для биологов. Наконец, есть три вегетативных свойства, которые вместе уникальны для инжира. Все плоды инжира содержат сок (латекс) от белого до желтоватого цвета, некоторые в большом количестве; веточка имеет парные прилистники или круглый рубец от прилистников, если прилистники опали; а боковые жилки у основания листа крутые и образуют более узкий угол со средней жилкой, чем другие боковые жилки, что называется «трехжильным».

Инжир — краеугольный камень многих экосистем тропических лесов. Их плоды являются ключевым ресурсом для некоторых плодоядных животных, включая летучих мышей, обезьян-капуцинов, лангуров и мангабеев. Для некоторых птиц они даже более важны. Азиатские барбеты, голуби, птицы-носороги, фиговые попугаи и луковицы — примеры таксонов, которые могут почти полностью питаться инжиром, когда их много. Многие гусеницы чешуекрылых питаются листьями инжира, например, несколько видов Euploea (бабочки-ворона), равнинный тигр (Danaus chrysippus), гигантский ласточкин хвост (Papilio cresphontes), бурая шила (Badamia exclamationis) и Chrysodeixis eridae .
Древесина фиговых деревьев часто бывает мягкой, и латекс не позволяет использовать ее для многих целей. Из него делали шкатулки для мумий в Древнем Египте.

Инжир занимал видное место в некоторых человеческих культурах. Есть свидетельства того, что инжир, в частности инжир обыкновенный (F. carica) и смоковник (F. sycomorus), были одними из первых, если не самыми первыми видами растений, которые преднамеренно разводились для сельского хозяйства на Ближнем Востоке, начиная с более чем 11000 человек. много лет назад. Девять суб ископаемых F.фиги carica, датируемые примерно 9400–9200 годами до нашей эры, были найдены в ранненеолитической деревне Гилгал I (в долине реки Иордан, в 13 км к северу от Иерихона). Это был партенокарпический тип и, следовательно, по-видимому, ранний сорт. Эта находка предшествует выращиванию зерна на Ближнем Востоке на многие сотни лет.

Многие из них выращиваются ради плодов, хотя для этой цели в какой-то степени культивируют только Ficus carica. Кроме того, плоды инжира, важные как для продуктов питания, так и для традиционной медицины, содержат слабительные вещества, флавоноиды, сахара, витамины А и С, кислоты и ферменты.Однако инжир является кожным аллергеном, а сок — серьезным раздражителем глаз. Инжир — это ложный плод или несколько плодов, у которых цветы и семена срастаются, образуя единую массу. Род Dorstenia, также принадлежащий к семейству инжира (Moraceae), имеет похожие крошечные цветки, расположенные на цветоносе, но в этом случае цветонос представляет собой более или менее плоскую открытую поверхность.

В зависимости от вида каждый плод может содержать от нескольких сотен до нескольких тысяч семян. Обычно существует только один вид ос, способных оплодотворять цветы каждого вида инжира, и поэтому посадки видов инжира за пределами их естественного ареала приводят к фактически стерильным особям.Например, на Гавайях было завезено около 60 видов инжира, но были завезены только четыре осы, которые их удобряют, поэтому только четыре вида инжира дают там жизнеспособные семена. Это пример мутуализма, при котором каждый организм (фиговое растение и фиговая оса) приносят пользу друг другу, в данном случае репродуктивно.

Особенность Инжир Виды: Баньян Инжир

Инжир, баньян
Ficus benghalensis

Родом из Индии и Пакистана.Очень быстрорастущее вечнозеленое дерево с широко раскидистыми ветвями и воздушными корнями, иногда известное как душистый инжир.

Тип дерева:
Баньян-инжир подразделяется на следующие типы: вечнозеленые, тенистые, фруктовые деревья.

Взрослый рост:
Баньян-инжир вырастает до 90 футов в высоту.

Зрелое распространение:
Баньян инжир раскидывается в стороны, поэтому одно дерево может покрыть очень большую площадь.

Скорость роста:
Это дерево растет быстро.

Солнце:
Фиговое дерево баньян хорошо себя чувствует на полном солнце.

Почва:
Фиговое дерево баньян предпочитает богатые, хорошо дренированные почвы.

Влажность:
Хорошо дренированный. Дерево очень чувствительно к засухе.

Форма:
Короны зрелых деревьев широко раскидистые.

Листья:
Листья этого дерева крупные, кожистые, эллиптической формы, глянцево-зеленого цвета с выступающими боковыми жилками.

Цвет цветка:
Цветки находятся внутри плодов и удобряются осами

Время цветения:
Апрель-июнь.

Описание плода:
Баньяновое дерево приносит несколько плодов в виде структур, называемых синкарпами. Инжир от 1 до 2 см в диаметре, при созревании ярко-красный. Фрукты можно есть свежими или сушеными

Дополнительная информация: Banyan Fig

Атрибуты:
Фиговое дерево славится обилием восхитительных сладких фруктов.Это дерево также обеспечивает много тени от жаркого летнего солнца, типичного для стран, где растет фиговое дерево.

Описание:

Ценность дикой природы:
Инжир созревает в период с февраля по май и привлекает птиц и летучих мышей, которые поедают инжир и разносят семена через свой помет.

История / История / Использование:
В романе Даниэля Дефо «Робинзон Крузо» Крузо живет на баньяновом дереве. В индуистской мифологии баньяновое дерево известно как «дерево исполнения желаний» и олицетворяет вечную жизнь.Баньон часто выращивают как декоративный бонсай. Используется при производстве шеллака.

Фиговое дерево Мелочи

Капитану Блайю приписывают посадку первого фигового дерева на Тасмании в 1792 году

Фиговые деревья выросли в Висячих садах Вавилона

Фиговые деревья относятся к роду Ficus, принадлежащему к семейству тутовых. Каучуковое растение, популярное домашнее растение, дерево Бо (священное для буддистов) и баньяновое дерево также являются разновидностями фикуса.

Инжир перестает созревать после сбора, поэтому важно дать плодам созреть на дереве.

Инжир — хороший источник калия, минерала, который помогает контролировать кровяное давление.

Сушеный Инжир — сладкий, питательный фрукт, которым можно наслаждаться в течение всего года.

Одно из самых больших баньяновых деревьев в США находится перед зданием суда Лахайны на острове Мауи, Гавайи.

Спасибо, что посетили наш Fig Tree Pictures at Tree Pictures Online.com , пожалуйста, вернись поскорее, чтобы увидеть больше фотографий деревьев !

Отметить страницу в закладки

Впечатляющие изображения деревьев

Коллекция впечатляющих изображений деревьев

Пейзаж с пальмами : Еще больше тропических изображений пальм? Пожалуйста, следуйте в галерею пальм. Увеличьте фотографию, просто нажмите на изображение дерева на пляже.

Твитнуть

Земля в Соединенных Штатах покрыта деревьями и лесами более чем на 30 процентов

Находки на дереве, наткнулись на эти изображения

Мы добавляем новые изображений деревьев по мере их поступления к нам еженедельно и ежемесячно.Мы надеемся, что вам понравятся все наши фотографии деревьев и информация о различных типах и породах деревьев.

Древесные рисунки

Дерево изображений Видео ; уникальная коллекция фотографий деревьев от начала синих колокольчиков под буками, различных изображений дубов … наряду с различными фотографиями сосен. Художественно собранный видеоролик о дереве вместе с высказываниями и стихами, посвященными дереву. Красиво сделанное дерево видеоизображений с замечательной фортепианной песней под названием Eclipse Сюзанны Чиани..

Фотографии бутылочного дерева

Bottle Tree Images, коллекция деревьев, художественно украшенных разноцветными стеклянными бутылками. Не путать с настоящим и необычным Бутылочным деревом

.
Секвойя дерево картинки

Sequoia Tree Images, большая коллекция большого дерева секвойи Титана. Второе по величине дерево в мире, «Президент», возрастом более 3200 лет, находится в национальном парке Секвойя, штат Калифорния, штат Невада, США.Больше фактов и изображений о секвойях можно найти на нашей странице TreePicturesOnline с фотографиями секвойных деревьев.

Деревья Фотографии деревьев из Исландии

Дерево Картинки и изображения из Исландии, интересные фотографии различных деревьев летом, осенью и зимой. Больше фотографий Winter Tree можно найти на впечатляющей странице Winter Tree Pictures.

Tree wallpaper images могут сделать красивый фон на рабочем столе вашего компьютера.См. Нашу ссылку на фотографии обоев дерева в левой категории деревьев.

Спасибо, что посетили наш Tree Pictures на TreePicture Online.com , пожалуйста, возвращайтесь в ближайшее время, чтобы увидеть больше отличных фотографий деревьев !

Фотографии сайтов

Картины с камином — Картины с деревьями — Фотографии беседки — Символы и их значения

Образцы резюме — Церковные фотографии — Изготовленные домашние картинки

Сайдинг из натурального бревна — Теневые куклы — Карибские острова

Играть в сенсорные игры — Картинки с водопадом

Make Hot Pictures — Бланки заявления о приеме на работу

Создание фотографии: «Фиговое трио» Эдварда Бо

Создание фотографии — это оригинальная серия интервью с фотографами о фотографии, которую они сняли, и о том, как она была получена.В результате вам передаются некоторые знания. Хотите, чтобы вас отметили? Электронное письмо chrisgampat [at] thephoblographer [dot] com.

Фотограф Эдвард Бо — фотограф и оператор из Чикаго, штат Иллинойс. Когда мы недавно позвонили нашим читателям по поводу фуд-фотографии, он ответил нам отличными снимками с действительно интригующим освещением. Эд специализируется на макросъемке и фотографии еды и пытается представить своим клиентам новое видение, которое становится уникальным каждый раз, когда он работает.Он объясняет это своим двойным интересом к еде и природе, поскольку каждая из них позволяет ему пролить свет на то, что легко упустить из виду.

Итак, когда он представил свою идею освещения инжира новым и интересным способом — нам было очень интересно увидеть, как он дал им немного внимания.

Вот его история, но обязательно посмотрите его в Instagram и Flickr.

Концепт

Только что после съёмки еды, в которой было немного инжира, я решил использовать оставшийся инжир в съёмке, где они могли бы сниматься в одиночестве.Когда я впервые купила их, мне очень понравилась их текстура, форма и тонкая окраска, и я был впечатлен тем, насколько они изменились и потемнели. Я постоянно вдохновляюсь освещением в стиле нуар, которое одновременно подчеркивает недостатки в красоте и красоты в недостатках, и эти фрукты были прекрасным шансом продемонстрировать это.

Механизм

  • Canon 5D Марк 3
  • Canon 100 мм f / 2.8L IS
  • (2x) вспышки Canon EX580ii Speedlight
  • (3x) устройства Pocket Wizard Plus X
  • (2x) софтбоксы Genesis S36 Strip
  • Квадрат 24 дюйма из черного оргстекла
  • Кусок матового черного пенопласта
  • (3x) Инжир для выдержки

Стрельба

Я выбрал трех особей, характер и цвет которых мне понравились больше всего.Я разместил их на черном оргстекле и использовал кусок матового черного пенопласта в качестве фона.

У меня был Canon 5D3 со 100-миллиметровым макрообъективом на штативе, чтобы я мог кадрировать и настраивать объект, не нарушая композицию. Камера была оснащена приемником Pocket Wizard Plus X, а две вспышки Canon EX580ii были установлены в задней части установки, рядом с фоном. Каждый фонарь был установлен на 36-дюймовом софтбоксе Genesis и подключен с помощью устройств Pocket Wizard Plus X к камере для легкого срабатывания.

Свет падал обратно в камеру, и я решил не использовать заполняющий или отраженный свет, чтобы раскрыть тени, чтобы усилить таинственность и настроение финального изображения.

Постпродакшн

Пост на этом фото был довольно простым.

  1. Сначала я использовал инструменты Clone Stamp и Spot Healing Brush, чтобы избавиться от всей пыли и мелких недостатков, которые требовали исправления. Черное оргстекло дает прекрасный зеркальный эффект, но вы никогда не сможете сохранить его чистым и свободным от пыли.Независимо от того, насколько тщательно вы храните или убираете, всегда нужно выполнить почтовую работу.
  2. Я использовал мягкую кисть с низкой непрозрачностью, чтобы удалить тонкую градацию фона и сделать его более однородным черным.
  3. Затем появился корректирующий слой Curves, чтобы дать больший контраст между яркими участками инжира и их отражениями и черным фоном. Я сделал это глобальным эффектом для всего изображения.
  4. В цвете. Яркость фруктов не передавалась на фотографии, как в реальной жизни, поэтому я использовал корректирующий слой Hue / Saturation, чтобы усилить определенные цвета, усилить темно-фиолетовый, бордовый и оставшуюся зелень.Я использовал маску слоя, чтобы ограничить изменения там, где я хотел, на фрукте и в его отражении.

5. Наконец, я сделал более избирательный корректирующий слой Curves с маской слоя, чтобы выделить немного увядшей текстуры фруктов, которая была немного потеряна на исходном слое кривых.

От настройки до финальных файлов, эта съемка заняла всего около 2 часов, но в результате получился довольно драматичный и загадочный снимок, который до сих пор привлекает мое внимание.

До / После

Оригинал

Финал

Монолитная платформа InP / SOI для интегрированной фотоники

Субмикронная проволока InP и мембранная матрица, избирательно выращенная на SOI

На рис. (001) -ориентированные пластины SOI. Мы использовали наш ранее разработанный метод «захвата поперечного соотношения сторон (ART)», чтобы обеспечить эпитаксию кристаллов InP внутри боковых оксидных канавок, окруженных верхним оксидным слоем и скрытым оксидным слоем 31 .В наших предыдущих работах мы продемонстрировали рост полос InP микрометрового размера с шириной (размером по глубине оксидной канавки) до 3,0 мкм на SOI 32 (см. Рис. 1). В этой статье, помимо эпитаксиального ограничения верхнего / нижнего слоев, мы добавили дополнительные ограничения за счет включения концепции «селективной эпитаксии с использованием шаблона» (TASE) и введения двух боковых боковых стенок из оксида. Кроме того, мы создаем сверхглубокие боковые оксидные траншеи шириной более 7.0 мкм и соотношением сторон больше 14, и в полной мере использовать диффузионные характеристики металлоорганических прекурсоров в системах химического осаждения металлоорганических соединений из паровой фазы (MOCVD). Эти уникальные особенности позволяют выращивать бездислокационные сегменты InP толщиной 480 нм, шириной, регулируемой от нескольких сотен нанометров до 7,0 микрометров, и длиной от нескольких сотен нанометров до десятков и, возможно, сотен микрометров. Обратите внимание, что III – V, выращенные с помощью TASE, инициируют зарождение III – V из крошечной затравочной области Si (ниже 100 нм), чтобы способствовать упругой релаксации и формировать бездислокационные нанопроволоки III – V и микрополости 25,26 .В нашем методе бокового ART InP зарождается на большей площади Si, а дислокации, генерируемые на границе раздела InP / Si, захватываются эффектом образования шейки дефектов; Таким образом на подложках (001) SOI можно одновременно производить как субмикронные проволоки из InP, так и мембраны из InP большого размера. Как показано схемами на рис. 1a, b, длина эпитаксиальных сегментов InP зависит от структуры роста, определяемой процессом фотолитографии; когда длина находится в субмикронном масштабе, формируются субмикронные проволоки InP; по мере увеличения длины до микрометрового диапазона субмикронные проволоки из InP соответственно превращаются в мембраны из InP.Толщина эпитаксиального InP идентична толщине слоя Si-устройства, а ширина зависит от поднутрения боковой оксидной канавки и дополнительно зависит от времени роста. Мы тщательно разработали набор параметров роста, чтобы обеспечить диффузию прекурсоров роста в глубокую боковую оксидную канавку и равномерное осаждение InP на открытых {111} -ориентированных поверхностях Si (см. Методы). В наших предыдущих работах по выращиванию InP на Si зародышеобразование GaAs использовалось как буфер для снижения напряжений между InP и Si 23 .В этой работе мы удалили промежуточный слой GaAs и применили двухступенчатую процедуру роста, состоящую из низкотемпературного зародышевого слоя InP и высокотемпературного основного слоя InP. Тонкое зародышеобразование InP выращивали при 400 ° C с отношением V / III, равным 1400, и давлением роста 50 мбар, что обеспечивает латеральную диффузию прекурсоров роста в оксидную канавку шириной 7,0 мкм и последующее осаждение однородных островков InP на поверхность Si. Основной рост InP выполнялся при 620 90 357 o 90 358 C с отношением V / III, равным 20, что приводит к слиянию островков InP в сплошные кристаллы и увеличению ширины эпитаксиального InP.Антифазные границы (APB) и пронизывающие дислокации (TD), два наиболее вредных кристаллических дефекта в гетероэпитаксии III – V на Si 33 , по существу устранены. В нашей конструкции образование APB предотвращается за счет инициирования роста III – V на {111} -ориентированной поверхности Si, образованной анизотропным влажным травлением 20,34 . Осаждение InP на гранях {111} Si также способствует релаксации напряжений за счет сильно двойниковой области на границе раздела InP / Si вместо более вредных TD. Кроме того, большое соотношение сторон до 14 эффективно блокирует все TD и приводит к созданию субмикронных проводов и мембран InP без TD / APB прямо поверх скрытого оксидного слоя.

Рис. 1: Концепция выращивания субмикронной проволоки InP в плоскости и мембранного массива на пластинах SOI (001).

a , b Схема селективной латеральной гетероэпитаксии субмикронных проводов и мембран InP. c Схемы в разрезе каждой ступени. (i) Формирование слоя Si-устройства. (ii) Оксидная инкапсуляция (осаждение и раскрытие оксида). (iii) Анизотропное влажное травление Si с образованием поднутрения Si. (iv) Селективная эпитаксия субмикронных проводов и мембран InP в плоскости.Определение размеров субмикронных проводов и мембран InP: ширина относится к размеру в поперечном эпитаксиальном направлении, а длина обозначает ортогональный размер оксидных рисунков, определенных литографией, как указано на этапе iv

На рисунке 2 показаны микроскопические и Фотографии с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) субмикронных проводов InP и мембран, выращенных на КНИ с использованием метода захвата поперечного соотношения сторон. Субмикронная проволока InP и массивы мембран разной длины могут быть сформированы за один цикл выращивания путем разработки различных схем роста.На рис. 2а, б представлены микроскопические изображения массивов субмикронных проводов InP с длиной рисунка 500 нм и 1,0 мкм соответственно. Изменение цвета на изображениях под микроскопом является результатом небольшого изменения толщины верхнего оксидного слоя и нижнего слоя InP (см. Дополнительный раздел I). На рис. 2e, f показаны фотографии субмикронной проволочной сетки InP, полученные с помощью СЭМ, полученные под разными углами и при разных увеличениях; На рис. 2g показана фотография в поперечном сечении, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа. Руководствуясь заранее заданным рисунком оксида, рост субмикронных проволок InP начался с протравленных {111} -ориентированных граней кремния и продолжился по направлению к раскрытию узора.Ширина проволоки InP с длиной рисунка 500 нм составляет ~ 4,0 мкм, а ширина проволоки InP с длиной рисунка 1,0 мкм составляет ~ 6,0 мкм. Большая ширина проистекает из большего раскрытия рисунка и, как следствие, более диффузных предшественников роста. В отличие от вертикальных нанопроволок III – V, описанных в литературе, наши субмикронные проволоки InP имеют плоскую конфигурацию с приборным слоем Si с чистым осевым ростом. Эта отличительная особенность дает несколько уникальных преимуществ. Во-первых, субмикронная проволочная решетка InP выращивается на пластинах КНИ с ориентацией (001), в то время как вертикальные нанопроволоки III – V часто выращиваются на {111} Si или собственных подложках III – V; во-вторых, характеристика в плоскости более совместима с технологиями планарной обработки в литейных цехах КМОП; в-третьих, матрица субмикронных проводов InP демонстрирует чрезвычайно близкое расположение со слоем Si-устройства, что обеспечивает бесшовное взаимодействие света с Si-волноводами; наконец, чистый осевой рост, управляемый рисунком оксида, дает субмикронные проволоки с различной геометрией, например квадратным поперечным сечением в этой работе, и допускает аналогичные эпитаксиальные гибкости в обычных планарных эпитаксиальных процессах 27 .На рис. 2в, г представлены микроскопические изображения мембранного массива InP с длиной рисунка 5 мкм и 10 мкм соответственно. Подобно субмикронным проволокам InP, эпитаксиальная ширина мембран InP увеличивалась в латеральном направлении до 7 мкм и постепенно заполняла структуру роста без каких-либо видимых промежутков или пустот. В отличие от субмикронных проволок, эпитаксиальная ширина которых зависит от размера отверстий рисунка, мембраны InP с разной длиной рисунка демонстрируют аналогичную эпитаксиальную ширину 7,0 мкм из-за достаточно больших отверстий рисунка.Скорость роста нашей мембраны InP в плоскости составляет ~ 5,0 мкм / ч, и эту скорость можно легко изменить, регулируя количество предшественников роста. Мембраны InP демонстрируют многогранный фронт роста с двумя наклонными гранями вблизи боковых боковых стенок из оксида. Этот вид многогранного фронта роста не является редкостью при эпитаксии с избирательной площадью и является результатом тенденции минимизировать общую поверхностную энергию во время процесса эпитаксии 35 . Мы выделяем морфологию поверхности InP-мембраны на рис.2 часа после удаления верхнего оксидного слоя. Мембрана InP демонстрирует атомно-плоскую (001) -ориентированную верхнюю грань и уникальную характеристику InP-на-изоляторе, архитектуру, аналогичную мембранам InP, прикрепленным к пластинам SOI. Эти InP-мембраны с большой площадью преодолевают проблему, присущую ограниченному объему материала при традиционной селективной гетероэпитаксии, и обладают потенциалом для реализации лазеров с электрическим приводом с минимальными потерями на поглощение, вызванными металлом. Из InP-мембраны на изоляторе можно также изготавливать различные микро / наноструктуры III – V, используя обычную нисходящую обработку; Примеры включают нанопроволоки, нано-ребра, микродиски и микрокольца.Кроме того, мембраны InP могут служить в качестве шаблонов для повторного роста многочисленных структур III – V и впоследствии сделать возможным реализацию различных оптоэлектронных устройств III – V. Эти уникальные особенности делают InP-on-insulator элегантной платформой для реализации фотонных функций.

Рис. 2: Плоские субмикронные проволоки и мембраны InP, селективно выращенные на (001) SOI.

a d Изображения на оптическом микроскопе выращенного массива InP с различной длиной рисунка: 500 нм, 1 мкм, 5 мкм и 10 мкм соответственно.Шкала a d ,5 мкм. e , f СЭМ-изображение вида сверху выращенного образца на участке длиной 1 мкм с рисунком. Шкала e , f , 5 мкм. г СЭМ-изображение поперечного сечения под углом 52 ° после резки фокусирующим ионным пучком, показывающее плоскостной InP, выращенный латерально из Si. Масштабная линейка, 2 мкм. h СЭМ-изображение под углом 52 ° InP мембраны, выросшей на длину образца 10 мкм после удаления верхнего оксида и Si. Масштабная линейка, 2 мкм

Характеристики материалов

Мы проверили кристаллическое качество субмикронных проводов и мембран InP, а также эффект сужения дефектов бокового подхода ART с помощью обширных характеристик просвечивающей электронной микроскопии (TEM).Как показано на схеме на рис. 3а, мы сначала подготовили ламели ПЭМ вдоль эпитаксиального направления с использованием фокусирующего ионного пучка (FIB). Мы исследовали образцы ПЭМ сегментов InP с различной длиной рисунка и наблюдали аналогичное качество кристаллов и механизмы управления дефектами. На рис. 3b представлено репрезентативное изображение просвечивающей электронной микроскопии InP мембраны с длиной рисунка 10 мкм. Эпитаксиальный InP зажат между верхним и скрытым оксидным слоем без каких-либо наблюдаемых ПД. Фронт роста InP-мембраны содержит верхнюю (111), среднюю (110) и крошечную нижнюю грани \ ((\ bar 1 \ bar 11) \), что указывает на идентичную кристаллическую структуру слоя Si-устройства.Кристаллическая структура InP повторяет структуру слоя Si устройства и подтверждается как цинковая обманка, о чем свидетельствуют увеличенные фотографии ПЭМ на рис. 3e и дифракционная картина быстрого преобразования Фурье (FFT) на рис. 3f. Осмотр гетерограницы InP / Si показывает, что напряжение, вызванное несоответствием решеток, ослабляется за счет образования высокой плотности штабелирования неупорядоченных слоев (рис. 3c, d). Большинство этих {111} -ориентированных нарушений упаковки проходят параллельно поверхности Si и заканчиваются на верхнем и скрытых оксидных слоях.Благодаря большому соотношению сторон боковых оксидных канавок, любые TD, распространяющиеся вдоль плоскостей {111}, блокируются верхним оксидным слоем 33 (подробности см. На дополнительном рисунке S3). Мы также подготовили пластинки ПЭМ, перпендикулярные эпитаксиальному направлению, чтобы дополнительно оценить кристаллическое качество эпитаксиального InP, как показано схемой на рис. 3g. На рис. 3h, i показаны фотографии поперечного сечения мембраны InP, полученные методом ПЭМ, с длиной рисунка 10 мкм и 2 мкм соответственно, а на рис.3j представляет ПЭМ-фотографию поперечного сечения субмикронной проволоки из InP с длиной рисунка 500 нм. Пластинки ПЭМ находятся на расстоянии около 2,6 мкм, 3,9 мкм и 2,3 мкм от Si в этих трех проверках ПЭМ, соответственно. Как и ожидалось, InP инкапсулирован оксидом во всех направлениях и демонстрирует бездислокационную характеристику, чему способствует большое расстояние от Si. Тем не менее, мы наблюдаем два типа дефектов упаковки (ДУ) внутри всех образцов: один тип внутри InP, а другой — в оксидном углу.Первый тип SF происходит от гетерограницы InP / Si 20 ; В отличие от ДУ в обычной бланкетной гетероэпитаксии, которые сопровождаются дислокациями на обоих концах, эти ДУ проходят через весь эпитаксиальный InP и, таким образом, избегают введения нежелательных центров безызлучательной рекомбинации внутри InP 23 (более подробное обсуждение см. в дополнительном разделе II). ДУ другого типа образуются на некоторых углах оксида и заканчиваются на боковой стенке оксида, как показано на увеличенных фотографиях ПЭМ на рис.3к. Некоторые из оксидных углов с закрытой гранью {111} InP, образующей воздушный зазор (см. Рис. 3l), не имеют сформированных SF. Эти нарушения наложения, возможно, происходят из-за несовершенства поверхности в ограниченных углах оксида, что широко отмечается при традиционной селективной гетероэпитаксии. Плотность этих двух типов SF может быть уменьшена путем оптимизации параметров роста зародышеобразования InP и изготовления структур роста с более гладкими оксидными боковыми стенками.

Рис. 3: ПЭМ-характеристика субмикронных проводов и мембран InP.

a Схематическое изображение ламеллы ПЭМ в эпитаксиальном направлении. b Изображение мембраны InP, полученное методом просвечивающего электронного микроскопа, при длине паттерна 10 мкм. Шкала шкалы, 1 мкм. c Изображение ПЭМ вблизи области Si. Масштабная шкала 200 нм. d Увеличенное изображение ПЭМ на интерфейсе InP / Si. Шкала шкалы: 5 нм. e , f Типичное изображение ПЭМ в основной эпитаксиальной области и соответствующее изображение БПФ. Масштабная шкала 10 нм. г Схема для иллюстрации ламеллы ПЭМ, перпендикулярной эпитаксиальному направлению.ПЭМ-изображение мембраны InP ( h , i ) с длиной шаблона 10 мкм и 2 мкм и субмикронного провода InP ( j ) с длиной шаблона 500 нм соответственно. Масштабная линейка h j , 1 мкм, 200 нм и 100 нм соответственно. k Увеличенное изображение i в ПЭМ в правом нижнем углу оксида. Масштабная шкала, 20 нм. l Увеличенное изображение ПЭМ h в правом верхнем углу. Масштабная линейка, 100 нм

Мы также охарактеризовали субмикронные проволоки и мембраны InP, используя измерения микрофотолюминесценции (PL) и дифракции рентгеновских лучей (XRD) при комнатной температуре.Непрерывный лазер с длиной волны 514 нм, сфокусированный в пятно диаметром 3,5 мкм, использовался в качестве источника возбуждения для измерения одного сегмента InP (см. Раздел «Методы»). На рис. 4а показаны спектры фотолюминесценции при комнатной температуре проволок InP с длиной рисунка 500 нм и 1,0 мкм, а также мембран из InP с длиной рисунка 2,0 мкм, 5,0 мкм и 10,0 мкм. Пик ФЛ находится на длине волны 925 нм, что указывает на кристаллическую фазу цинковой обманки. В целом интенсивность излучения ФЛ усиливается с увеличением материального объема эпитаксиального InP.Интенсивность фотолюминесценции InP мембран с длиной паттерна 5 мкм и 10 мкм сопоставима, поскольку накачанный объем InP в обоих случаях имеет тот же размер, что и лазерное пятно возбуждения (см. Раздел «Методы»). Мы также наблюдали немного более высокую интенсивность ФЛ субмикронных проводов InP с длиной рисунка 500 нм, чем у проволок с длиной рисунка 1 мкм, возможно, из-за оптического ограничения в наноразмерной полости InP. Ширина линии излучения ФЛ составляет ~ 28 нм, что сравнимо с таковой для коммерческих пластин InP 32 .Стоит отметить, что в то время как в мембранах InP наблюдается чистая фаза цинковой обманки, мы обнаружили наличие фазы вюрцита в небольшой части субмикронных проволок InP, о чем свидетельствует излучение ФЛ на 880 нм (см. Рис. S5 для дальнейшего обсуждения). На рисунке 4b показана кривая сканирования относительного ω − 2θ XRD для сегментов выращенного InP, на которой видны резкие пики как эпитаксиального InP, так и слоя Si. Полная ширина на полувысоте (FWHM) пика InP извлекается до такой же узкой, как 90 угловых секунд, благодаря устранению TD внутри эпитаксиального InP.Подгонка XRD для оценки деформации эпитаксиального InP показывает, что InP полностью релаксирован, на что указывает точное совмещение измеренных дифракционных пиков InP / Si и подгоночных пиков на рис. 4b (см. Раздел «Методы»).

Рис. 4: Оптические и кристаллические характеристики.

a Спектры ФЛ при комнатной температуре выращенного InP с различной длиной диаграммы. b Относительная кривая рентгеновской дифрактометрии ω-2θ для массива InP после выращивания и аппроксимирующая кривая для 100% релаксированных пленок InP на Si

Субволновые лазерные матрицы и микродисковые лазеры на SOI

Эпитаксиальная субмикронная проволока и мембранные матрицы обладают уникальными характеристиками InP-on-Insulator и являются идеальной платформой для реализации фотонных функций.Чтобы продемонстрировать универсальность и гибкость платформы InP / SOI, мы изготовили массивы субволновых лазеров InP из проводов, а лазеры с квадратным резонатором и лазеры на микродисках из мембран с дополнительной обработкой сверху вниз. На рис. 5а показано микроскопическое изображение массива InP-лазеров с длиной рисунка 500 нм, а на рис. 5b — фотография, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа под наклоном. Поскольку InP излучает ~ 920 нм, а Si не является прозрачным в этом диапазоне длин волн, мы выборочно удалили слой Si-устройства после травления верхнего оксидного слоя (см. Раздел «Методы»).Доработанные субволновые проволочные лазеры InP располагаются прямо над скрытым оксидным слоем и демонстрируют резонатор Фабри-Перо (FP) с длиной резонатора ~ 3,0 мкм и оптической обратной связью от границы раздела InP / воздух на обоих концах (см. Увеличенное изображение SEM фотографии на рис. 5в). Обычно нанопроволочные лазеры III – V часто переносятся на подложки с низким показателем преломления, чтобы поддерживать сильное оптическое ограничение и, таким образом, демонстрировать случайные ориентации и положения. Хотя нанопроволочные лазеры были продемонстрированы на естественных подложках III – V или подложках (111) Si, они часто имеют вертикальную конфигурацию 36 .В отличие от этого, положение и ориентация субволновых проволочных лазеров в этой работе можно точно контролировать с помощью литографии, и лазеры имеют плоскую конфигурацию и тот же уровень, что и слой Si-устройства. InP-мембраны большого размера, расположенные прямо на изоляторе, могут иметь множество фотонных геометрических форм, и мы проиллюстрировали эту универсальность, изготовив квадратные резонаторы и лазеры на микродисках. На рис. 5d представлено СЭМ-изображение вида сверху лазера с квадратным резонатором, полученное путем настройки эпитаксиальной ширины, близкой к длине рисунка; длина лазера с квадратным резонатором ~ 2.0 мкм, а сторона измеряется как 2,2 мкм. Мы использовали коллоидную литографию для определения микродисков, как показано на схеме на рис. 5e (см. Раздел «Методы»). На рис. 5f показано типичное СЭМ-изображение изготовленных лазеров на микродисках с воздушной оболочкой на скрытом оксидном слое с круглыми полостями и гладкими боковыми стенками; диаметр микродискового лазера составляет ~ 1,4 мкм.

Рис. 5: Демонстрация лазера с использованием эпитаксиальных субмикронных проводов и мембран InP.

a Изображение, полученное с помощью оптического микроскопа InP субволновых проволочных лазеров с длиной рисунка 500 нм после удаления верхнего оксида и кремния.Масштабная линейка 5 мкм. b СЭМ-изображение под углом 52 ° субволновой лазерной матрицы InP на КНИ при длине диаграммы 500 нм. Масштабная линейка 5 мкм. c СЭМ-изображение субволновых лазеров под углом 52 °. Масштабная линейка, 2 мкм. d СЭМ-изображение лазера с квадратным резонатором, вид сверху. Шкала шкалы, 1 мкм. e Схема технологического процесса лазеров на микродисках. f СЭМ-изображение под углом 70 ° изготовленного лазера на микродисках на КНИ. Масштабная линейка, 500 нм

Мы исследовали оптические свойства лазеров с субволновой проволокой, квадратным резонатором и микродисками, используя самодельную систему ФЛ, и все эти лазеры могут работать при комнатной температуре при оптическом возбуждении.Источником возбуждения служил титан-сапфировый лазер с длиной волны 750 нм, длительностью импульса 100 фс и частотой следования 76 МГц (см. Раздел «Методы»). На рис. 6а представлены спектры ФЛ субволнового проволочного лазера при комнатной температуре с длиной диаграммы направленности 500 нм и шириной эпитаксии 3 мкм. При малой мощности накачки регистрировалось широкое излучение ФЛ с максимумом ~ 920 нм; выше порогового значения, острый пик на 905 нм выделяется из спонтанного излучения и имеет ширину линии 2,4 нм. На вставках к рис. 6а показаны записанные изображения субволнового лазера ниже и выше порога, контрастируя слабое и некогерентное излучение до генерации и яркое и когерентное излучение после генерации.На рисунке 6b представлена ​​кривая свет-свет (L-L) и изменение ширины линии измеренного проволочного лазера; четкий излом на L – L-кривой вместе с сужением ширины линии дополнительно свидетельствует о режиме генерации при комнатной температуре. Мы также выполнили моделирование для изучения режима генерации проволочного лазера. Исходя из расчета коэффициента отражения моды, мода TEM 1,0 показывает наивысшую отражательную способность на торце (~ 84% при 905 нм) и, таким образом, наиболее вероятно является режимом генерации. На рис. 6в, г представлена ​​смоделированная мода ТЕМ 1,0 под разными углами.На рис. 6е показаны спектры излучения лазера с квадратным резонатором длиной 2,0 мкм при комнатной температуре, а на рис. 6е показаны эволюция интенсивности излучения и ширины линии при увеличении мощности накачки. Как и в случае с проволочным лазером, мы наблюдали пик генерации на длине волны 918 нм с четкими полосами выше порога, явным перегибом на кривой L – L и очевидным сужением ширины линии около порога. На рис. 6g, h показаны профили электрического поля в поперечном сечении и на виде сверху моды квадратного резонатора в виде шепчущей галереи (WG); резонансная длина волны которого хорошо согласуется с экспериментальными результатами.На рисунке 6i показаны спектры излучения лазера на микродисках диаметром 1,4 мкм при комнатной температуре, а на вставке представлены записанные изображения лазера на микродисках ниже и выше порогового значения. В этом случае пик генерации находится на длине волны 913 нм, интенсивность и ширина линии которой показаны на рис. 6j. На рис. 6k, l показаны профили мод в поперечном сечении и виде сверху лазерной моды TE 13,1 с модой, расположенной на периферии полости микродиска. Лазерная генерация при комнатной температуре от этих лазеров с различными типами резонаторов свидетельствует о превосходном качестве субволновых проводов и мембран InP, избирательно выращенных на пластинах КНИ, и демонстрирует гибкость и большой потенциал этой платформы InP / SOI для будущей интегрированной фотоники.

Рис. 6. Генерация при комнатной температуре лазерами с субволновой проволокой, квадратным резонатором и микродисковыми лазерами.

a , e , i Спектры ФЛ субволновых лазеров на проволоке, квадратном резонаторе и микродисковых лазерах при комнатной температуре соответственно. На вставке показаны соответствующие изображения излучения ниже и выше порога. b , f , j Кривая света – света (L – L) и сужение ширины линии соответствующих лазеров. Расчетные профили мод лазерного излучения InP-лазеров

Алгоритмическая фотография — Питер Кранц

В течение долгого времени мне было интересно подумать о том, что бы произошло, если бы камеры могли делать больше, чем просто фиксировать в некоторой степени реалистичное представление падающего света через объектив.Я экспериментировал с длинными выдержками, щелевым сканированием и другими способами интерпретации мира. Но что, если бы мы могли выразить фотографическое видение с помощью алгоритма, который мы могли бы использовать при съемке изображений?

У нас уже есть инструменты для ретуширования изображений в пост-продакшене, но мне интересно узнать, что происходит, когда я реализую идею в алгоритме до того, как будет захвачен какой-либо свет, а затем применить его в окружающей среде. Я думаю, что это можно назвать алгоритмической фотографией, и я попытался дать определение и показать несколько примеров ниже.

Определение алгоритмической фотографии

Алгоритмическая фотография — это фотографический метод, включающий разработку алгоритма обработки фотографической информации для создания фотографии. Разработка алгоритма происходит до фотографирования и может включать простое или сложное программное обеспечение для достижения фотографической цели. Таким образом, алгоритмическая фотография отличается от ручного ретуширования фотографий или ручного добавления цифровых эффектов при постобработке.

Алгоритмическая камера — это система камеры, реализующая фотографическую идею в алгоритме, содержащую устройство захвата и устройство вывода, отображающее визуальное представление.

Примеры алгоритмической фотографии:

  • Обработка изображения через черно-белый фильтр.
  • Использование алгоритма обнаружения лиц и размытия фона для имитации небольшой глубины резкости.
  • Обработка видео для создания неподвижного изображения по заранее заданному алгоритму.
  • Использование искусственного интеллекта для создания новых изображений из текста, дополненного фотографическим вводом.

Можно утверждать, что почти все цифровые камеры и камеры смартфонов, в частности, являются алгоритмическими камерами, поскольку они каким-то образом обрабатывают фотографическую информацию с помощью предопределенного алгоритма (например, размытие фона для создания более привлекательного портрета или корректировка луны в ночное время фото). Однако с ростом доступности передовых моделей искусственного интеллекта для визуального восприятия у фотографов появляется гораздо более широкий выбор алгоритмов.

Рис 1. Сложность алгоритма алгоритмической фотографии.

Алгоритмическая фотография может рассматриваться как относящаяся к процессуальному искусству («где процесс ее создания не скрывается, но остается важным аспектом завершенной работы»).

Создание алгоритмической фотографии

В простейшей форме один из способов подхода к алгоритмической фотографии — это описать алгоритм простым языком, например:

  1. Преобразование изображения в черно-белое.

Однако с демократизацией доступа к моделям машинного обучения и необходимой вычислительной мощностью теперь практически любой может разработать алгоритм, поддерживающий гораздо более сложные идеи.

Цветная подключенная алгоритмическая камера для птиц

Это пример созданной мной алгоритмической камеры.

  1. Настройте палитру из 10 цветов со следующими цветами:
  2. Выберите два случайных цвета из палитры и раскрасьте изображение.
  3. Для всех птиц на изображении:
    1. Проведите желтую линию от центра птицы до всех остальных птиц.
    2. Покройте птицу случайным цветом из палитры .

Для реализации этого алгоритма в программном обеспечении требуется использование нескольких инструментов. В приведенном выше примере я реализовал первые два шага алгоритма, используя PIL, библиотеку изображений Python. Я установил камеру на квадратный формат захвата, вышел и сделал снимок:

Рис 2.Квадратное входное изображение раскрашено двумя случайными цветами из палитры

Выполнение следующих шагов включает обнаружение птиц и их контуров. Facebook AI Research предоставляет отличную библиотеку под названием Detectron 2, которая поставляется с множеством предварительно обученных моделей для обнаружения и сегментации. Я использовал модель сегментации Panoptic для входного изображения и получил координаты прямоугольника для каждой птицы. Используя эти координаты, можно было соединить всех птиц желтой линией с помощью библиотеки aggdraw на раскрашенном изображении.

Рис. 3. Обнаруженные и подключенные птицы

После соединения птиц желтой линией можно было использовать маски Detectron2, чтобы покрыть каждую птицу, используя оставшиеся цвета в палитре.

Рис. 4. Раскрашенная подключенная алгоритмическая камера для птиц

Каждый раз, когда делается снимок этой алгоритмической камерой, применяется один и тот же алгоритм.

Рис 5. Еще фотографии с «раскрашенной алгоритмической камеры подключенных птиц».

Другой пример: ножной разъем алгоритмической камеры

Этот алгоритм включает обнаружение ног людей с помощью модели ключевых точек COCO для Detectron2.Учитывая доступность передовых моделей для обнаружения объектов, барьер для создания более совершенной алгоритмической фотографии был снижен. Надеюсь, эта статья вдохновила вас на размышления о собственных идеях алгоритмической фотографии.

Если вы хотите увидеть больше моих фотографических экспериментов, подписывайтесь на меня в Instagram здесь. Мне бы хотелось узнать больше о ваших идеях.

Apple выигрывает патент на усовершенствованные элементы управления для их гарнитуры Future MR, которая включает в себя Eye Gaze, Siri, Touch и многое другое.

Сегодня U.S. Управление по патентам и товарным знакам официально предоставило Apple патент, который относится к пользовательским интерфейсам для взаимодействия с их будущими HMD, которые будут использовать комбинацию взгляда и сенсорного управления вместе с жестами рук и тела и даже Siri.

Более конкретно, выданный Apple патент распространяется на методы взаимодействия с устройством, устанавливаемым на голову (HMD), с помощью взгляда. Пользователь сможет использовать свои глаза для взаимодействия с объектами пользовательского интерфейса, отображаемыми на дисплее HMD.Эти методы обеспечивают более естественный и эффективный интерфейс, в некоторых примерных вариантах осуществления , позволяя пользователю управлять устройством, используя в основном взгляды глаз и жесты глаз (например, движение глаз, моргания и взгляды).

HMD включает в себя датчик (и), сконфигурированный для обнаружения различных типов пользовательского ввода, включая (но не ограничиваясь) жесты глаз, жесты рук и тела и голосовые вводы. В некоторых вариантах осуществления устройство ввода включает в себя контроллер, сконфигурированный для приема нажатий кнопок (например,g., вверх, вниз, влево, вправо, ввод и т. д.).

В патенте Apple на фиг. 19C ниже, мы видим, что пользователю (№ 200) проще выбрать конкретную фотографию из стопки (№ 1908). На фиг. 19C фотографии № 1908a-1908e перемещены из стола (№ 1912) и представлены вертикально и разложены в середине поля зрения пользователя. В ответ на получение пользовательского ввода (# 1910a) фотография (# 1908a) в крайнем левом положении обозначается (например, предварительно выбрана). Обозначение фотографии обозначается индикатором фокусировки (# 1914), который включает жирную рамку вокруг фотографии 1908a.В некоторых вариантах осуществления индикатор фокуса включает в себя указатель, курсор, точку, сферу, выделение, контур или фантомное изображение, которое визуально идентифицирует обозначенный объект. В некоторых вариантах осуществления HMD-устройство №1900 отменяет обозначение фотографии №1908а и возвращает фотографии №1908 в таблицу в ответ на получение дополнительного ввода (например, выбора кнопки выхода или отрыва касания).

На ФИГ. 19D выше, пользовательский ввод №1910b включает в себя смахивание или перетаскивание слева направо.В некоторых вариантах осуществления пользовательский ввод №1910b может включать в себя нажатие кнопки направления или устную команду («двигаться вправо»). В ответ на прием пользовательского ввода 1910b индикатор # 1914 фокусировки перемещается с фотографии # 1908a в соответствии (например, в направлении) пользовательского ввода # 1910b, чтобы обозначить фотографию # 1908b.

Патентные фигурки на другие движущиеся объекты

На рисунках патентов ниже Apple иллюстрирует, как использование взгляда и сенсорного управления будет использоваться для перемещения предметов в виртуальной среде, таких как картины / фотографии и даже объект кружки кофе.



Позже в патенте Apple отмечает, что система HMD включает в себя датчик (и) изображения, необязательно включает в себя один или несколько датчиков изображения в видимом свете, таких как датчики устройства с заряженной связью (CCD) и / или дополнительный металл-оксид-полупроводник (CMOS). датчики, работающие для получения изображений физических объектов из реальной окружающей среды.

Датчик (и) изображения также необязательно включает в себя один или несколько инфракрасных (ИК) датчиков, таких как пассивный ИК-датчик или активный ИК-датчик, для обнаружения инфракрасного света из реальной окружающей среды.Например, активный ИК-датчик включает в себя ИК-излучатель, такой как ИК-точечный излучатель, для излучения инфракрасного света в реальную среду. Датчик (и) 108 изображения также необязательно включает в себя одну или несколько камер для событий, сконфигурированных для захвата движения физических объектов в реальной среде.

Датчик (и) изображения

также необязательно включает в себя один или несколько датчиков глубины, сконфигурированных для определения расстояния до физических объектов от системы HMD. В некоторых вариантах осуществления HMD использует датчики CCD, камеры событий и датчики глубины в комбинации для обнаружения физической среды вокруг HMD.

Хотя патент в первую очередь ориентирован на будущую гарнитуру со смешанной реальностью (MR), описанные методы также могут быть применены к обычным пользовательским интерфейсам на таких устройствах, как настольные компьютеры, ноутбуки, планшеты и смартфоны.

Подробнее см. В патенте Apple 11 132 162. Некоторые из изобретателей, перечисленных в этом выданном патенте, включают:

Тим Ориол: Старший менеджер по разработке программного обеспечения, Группа технологического развития

Алексис Паланги: Старший инженер-программист

Райан Бургойн: Разработчик программного обеспечения.Пришел в Apple через приобретение Metaio

Рахул Наир: Инженер-прототип

Сохранить летнюю щедрость? Да мы можем.

АТЛАНТА — В конце лета, когда изобилие садов находится на пике, нет ничего лучше хорошего, старомодного консервного сеанса.

Когда дело доходит до консервирования, на ум сразу приходят ягоды бузины. Они росли во дворе нашего соседа, но кусты были такими высокими, что плоды свешивались через забор.Каждый год моя мама, никогда не отказывавшаяся от бесплатной еды, возвращалась туда с большим ведром и ножницами и срезала с веток фиолетовые грозди в форме зонтика.

Мы часами отделяли крошечные шары от древесных частей. Мне нравилось это ощущение скатывания ягоды со стебля пальцами. Затем пришло время отжимать сок: запарить фрукт в небольшом количестве горячей воды, раздавить его, вылить мякоть на марлю и отжать так сильно, чтобы ткань стала пурпурной.

Я была маленькой мисс Хелпер, которая измеряла сахар, разрывала упаковки с пектином, размешивала лимонный сок и заскучала, ожидая, пока липкая темная жидкость достигнет точки гелеобразования.Тем временем мама зажгла огонь под горшком, наполненным водой; банки, крышки и завинчивающиеся ленты — все необходимое для стерилизации.

У нас не было кондиционера. Вы можете себе представить, насколько жарко стало на кухне.

Благодаря моей маме, я ценю звук открывающихся крышек, которые сигнализируют о правильно запечатанной банке добра — лучший подарок, когда ее открывают в бесплодные зимние месяцы.

К тому времени, когда у меня появился собственный дом и семья, моя мама была менее энергична в отношении того, чтобы «мириться». Она дала мне свое оборудование и кулинарные книги по консервированию, но я все же предпочел консервировать со вторым пилотом.Летом я вырастила целую россыпь помидоров и собрала бушель и кусочек персиков, безусловно, принадлежит нашей катушке, посвященной консервированию матери и дочери. Снятие шкур с горячих продуктов — дело трудоемкое; сделано с семьей или друзьями, это больше похоже на болтовню в салоне красоты, как сцену прямо из «Стальных магнолий».

Консервирование — это не только для девочек. Хитч, мой бывший сосед в Сент-Луисе, король в этом деле. Во время недавней поездки, чтобы навестить маму, я зашел, чтобы сказать ему привет.Я ушел с банкой зеленых помидоров в одной руке и арбузной цедрой, манго и чатни из папайи в другой.

Я сожалел, что у меня нет с собой надлежащего подарка для обмена: одной из 10 драгоценных банок с инжирным вареньем, которые я сделал несколько недель назад. После почти 20 лет попыток выращивать инжир, у меня, наконец, было достаточно, чтобы готовить, вместо того, чтобы просто есть его с дерева.

Крышка каждой стеклянной банки увенчана золотой печатью с печатью Washington Farms (дань уважения моему старому почтовому адресу) и ананасом (символ гостеприимства).Тиснитель был подарком моей невестки во время нашего расцвета консервного производства.

День, когда я приготовил варенье из инжира, был одним из самых жарких августовских дней в Грузии. В отличие от моей мамы в те времена, мне нравится кухня с кондиционером. Тем не менее в комнате было жарко. Мне хотелось, чтобы она была рядом, чтобы помочь превратить фунты свежего инжира в консервы, а не нарезать и помешивать в одиночестве. Это был только я и пузырящаяся жидкость, которая осмелилась обжечь мне предплечья.

Когда варенье было готово и готово к упаковке, я решил посмотреть на часы, как и моя мама.Он не сказал мне время; он сказал мне, что я дома.

Варенье из инжира

Инжир 5 фунтов

3/4 стакана воды, плюс еще для кипячения

6 стаканов сахара

1/4 стакана лимонного сока

Полностью залейте инжир кипятком. Дать постоять 10 минут. Слейте воду, стебель и нарежьте инжир. Должно получиться около 2 литров нарезанного инжира.

Смешайте инжир, сахар и 3/4 стакана воды в большой кастрюле. Медленно доведите до кипения, помешивая, пока сахар не растворится.Готовьте быстро до точки застывания. Чтобы проверить температуру гелеобразования, окуните холодную металлическую ложку в кипящее желе. Выньте ложку. Наклоните ложку на блюдо, чтобы капал сок. Сначала желейные капли будут легкими и сочными. По мере того, как смесь готовится, капли становятся больше и начинают раскрываться. Точка гелеобразования достигнута, когда желе снимается с ложки.

Другой тест — положить немного джема на небольшую тарелку и поместить его в морозильную камеру примерно на 2 минуты или пока джем не остынет до комнатной температуры.Потрогайте варенье, и если оно гелеобразное, готово. Если нет, продолжайте готовить.

По мере загустения смеси часто помешивайте, чтобы предотвратить прилипание. Добавьте лимонный сок и готовьте еще 1 минуту. Снять с огня.

Разложите варенье по чистым банкам с крышками. Дайте остыть. После охлаждения храните в холодильнике до трех недель. На 5 пинт.

Пищевая ценность на столовую ложку: 40 калорий (процент калорий из жира, 1), следовые количества белка, 10 граммов углеводов, следовые количества клетчатки, следы общего жира (без насыщенных жиров), отсутствие холестерина, следы натрия.

По материалам «Ball Blue Book of Conserving» (Alltrista Consumer Products Co., 2003)

Руководство по домашнему консервированию, известное сегодня как «Синяя книга консервирования», было впервые опубликовано в 1909 году. На фото это издание 2003 года. / Фото Лигайи Фигерас / Atlanta Journal-Конституция

Port Max СКИДКА 58% Компания Core Tank Top Хлопок

Галилея и Север

Изображения с Голанских высот, бассейна Хуле, страны Галилейских холмов, Галилейского моря, реки Иордан, Равнина Ашера и многое другое…

$ 39,00 $ 49,99
Самария и Центр

Изображения из долины Изреель, долины Харод, горы Кармель, равнины Шарон, Самарии, Иорданского разлома, Вениамина и др. …

$ 39,00 $ 49,99
Иерусалим

Изображения Старого города, Храмовой горы, Города Давида, туннелей Западной стены, Западного Иерусалима, Масличной горы, модели Иерусалима и др …

$ 39.00 $ 49.99
Иуда и Мертвое море

Изображений из Горной страны Иудеи, Иудейской пустыни, Мертвого моря, Шефелы, Филистимской равнины и других мест…

$ 39.00 $ 49.99
Негев и пустыня

Изображения из библейского Негева, нагорья Негев, городов Набатей, Нахаль Зин, Путь специй, Пустыня Зин, Пустыня Фаран, Арава, Красное море и др. .

$ 34,00 $ 49,99
Иордания

Изображения из Гадары, Герасы, Тишбе, Джавеша Галаада, Рамофа Галаада, Пеллы, Авилы, Пенуэля и Маханаима, Телль-Дейр-Алла, Вифании за Иорданом и других мест …

$ 34,00 $ 49,99
Египет

Изображения из Гизы, Луксора, Асуана, Абу-Симбела, Александрии, Джебель-Мусы, Св.Монастырь Екатерины, Серабит эль-Хадим, Кадеш Варнеа, Вади-эль-Ариш, Суэцкий канал, Дельта и многое другое …

$ 34.00 $ 49.99
Ливан

Изображения из Тира, Сидона, Зарепты, храма Эшмун, Бейрута, Библ, Нахр эль-Кальб, Бека, Баальбек, Кедры Ливана, Карак Ной, Камид эль-Лоз, река Литани, гора Хермон и другие …

$ 34,00 $ 49,99
Восточная и Центральная Турция

Изображения с путешествия Павла и исторические места, включая Антиохию на Оронте, Селевкию, Тарс, Атталию, Пергу, Писидианскую Антиохию, Листру, Дербу и другие…

$ 34.00 $ 49.99
Западная Турция

Изображения из путешествий Павла и исторических мест, включая Эфес, Ассос, Александрию, Троаду, Милет, Колоссы, Иераполис, Миру, Патару, Книд и другие …

$ 34.00 $ 49,99
Греция

Изображения из Афин, Элевсина, Коринфа, Истмии, Кенхреи, Микен, Олимпии, Дельф, Никополиса, Додоны, Метеоры, горы Олимп, Диона, Верии, Фессалоники, Неаполя, Амфиполя и других мест…

$ 34,00 $ 49,99
Греческие острова

Изображения островов, посещенных апостолом Павлом, как записано в Книге Деяний, а также острова Патмос, где Иоанн увидел Откровение Иисуса Христа …

$ 24,00 $ 49,99
Кипр и Крит

Изображения из Саламина, Пафоса, Куриона, Аматуса, Аламану, Хирокитии, Никосии, Ларнаки, Салмона, Итаноса, Ираклиона, Кносса, горы Ида, Гортина, Фестоса, Фейри-Хейвэнса и других мест…

$ 24.00 $ 49.99
Италия и Мальта

Изображения из Помпеи, горы Везувий, Геркуланума, Аппиевой дороги, Путеол, Сиракуз, залива Св. Павла, Хагар-Ким, залива Св. Томаса, рифа Мунксар и др. .

$ 24.00 $ 49.99
Рим

Изображения с Форума, Колизея, Арки Тита, Палатинского холма, Пантеона, Мамертинской тюрьмы, Большого цирка, Ватикана, реки Тибр, Собора Святого Павла за стенами, Остии и других мест. ..

$ 24.00 $ 49.99
Деревья, растения и цветы

Изображения миндаля, рожкового дерева, финиковой пальмы, инжира, оливы, граната, сикомора-инжира, винограда, пшеницы, ячменя, льна, чеснока, сорго, иссопа, каперсы, фенхель, мальва, розмарин, цитрон, дуб…

$ 34.00 $ 49.99
Культурные изображения Святой Земли

Изображения урожая зерновых, урожая винограда, сбора оливок, вспашки, пастухов, стрижки овец, сторожевых башен, колодцев, цистерн, изготовления гончарных изделий, самаритянской пасхи и многого другого.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.