Фото с фигой: Фига, дуля, кукиш (110 фото)

a , b Схема селективной латеральной гетероэпитаксии субмикронных проводов и мембран InP. c Схемы в разрезе каждой ступени. (i) Формирование слоя Si-устройства. (ii) Оксидная инкапсуляция (осаждение и раскрытие оксида). (iii) Анизотропное влажное травление Si с образованием поднутрения Si. (iv) Селективная эпитаксия субмикронных проводов и мембран InP в плоскости.Определение размеров субмикронных проводов и мембран InP: ширина относится к размеру в поперечном эпитаксиальном направлении, а длина обозначает ортогональный размер оксидных рисунков, определенных литографией, как указано на этапе iv

На рисунке 2 показаны микроскопические и Фотографии с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) субмикронных проводов InP и мембран, выращенных на КНИ с использованием метода захвата поперечного соотношения сторон. Субмикронная проволока InP и массивы мембран разной длины могут быть сформированы за один цикл выращивания путем разработки различных схем роста.На рис. 2а, б представлены микроскопические изображения массивов субмикронных проводов InP с длиной рисунка 500 нм и 1,0 мкм соответственно. Изменение цвета на изображениях под микроскопом является результатом небольшого изменения толщины верхнего оксидного слоя и нижнего слоя InP (см. Дополнительный раздел I). На рис. 2e, f показаны фотографии субмикронной проволочной сетки InP, полученные с помощью СЭМ, полученные под разными углами и при разных увеличениях; На рис. 2g показана фотография в поперечном сечении, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа. Руководствуясь заранее заданным рисунком оксида, рост субмикронных проволок InP начался с протравленных {111} -ориентированных граней кремния и продолжился по направлению к раскрытию узора.Ширина проволоки InP с длиной рисунка 500 нм составляет ~ 4,0 мкм, а ширина проволоки InP с длиной рисунка 1,0 мкм составляет ~ 6,0 мкм. Большая ширина проистекает из большего раскрытия рисунка и, как следствие, более диффузных предшественников роста. В отличие от вертикальных нанопроволок III – V, описанных в литературе, наши субмикронные проволоки InP имеют плоскую конфигурацию с приборным слоем Si с чистым осевым ростом. Эта отличительная особенность дает несколько уникальных преимуществ. Во-первых, субмикронная проволочная решетка InP выращивается на пластинах КНИ с ориентацией (001), в то время как вертикальные нанопроволоки III – V часто выращиваются на {111} Si или собственных подложках III – V; во-вторых, характеристика в плоскости более совместима с технологиями планарной обработки в литейных цехах КМОП; в-третьих, матрица субмикронных проводов InP демонстрирует чрезвычайно близкое расположение со слоем Si-устройства, что обеспечивает бесшовное взаимодействие света с Si-волноводами; наконец, чистый осевой рост, управляемый рисунком оксида, дает субмикронные проволоки с различной геометрией, например квадратным поперечным сечением в этой работе, и допускает аналогичные эпитаксиальные гибкости в обычных планарных эпитаксиальных процессах ²⁷ .На рис. 2в, г представлены микроскопические изображения мембранного массива InP с длиной рисунка 5 мкм и 10 мкм соответственно. Подобно субмикронным проволокам InP, эпитаксиальная ширина мембран InP увеличивалась в латеральном направлении до 7 мкм и постепенно заполняла структуру роста без каких-либо видимых промежутков или пустот. В отличие от субмикронных проволок, эпитаксиальная ширина которых зависит от размера отверстий рисунка, мембраны InP с разной длиной рисунка демонстрируют аналогичную эпитаксиальную ширину 7,0 мкм из-за достаточно больших отверстий рисунка.Скорость роста нашей мембраны InP в плоскости составляет ~ 5,0 мкм / ч, и эту скорость можно легко изменить, регулируя количество предшественников роста. Мембраны InP демонстрируют многогранный фронт роста с двумя наклонными гранями вблизи боковых боковых стенок из оксида. Этот вид многогранного фронта роста не является редкостью при эпитаксии с избирательной площадью и является результатом тенденции минимизировать общую поверхностную энергию во время процесса эпитаксии ³⁵ . Мы выделяем морфологию поверхности InP-мембраны на рис.2 часа после удаления верхнего оксидного слоя. Мембрана InP демонстрирует атомно-плоскую (001) -ориентированную верхнюю грань и уникальную характеристику InP-на-изоляторе, архитектуру, аналогичную мембранам InP, прикрепленным к пластинам SOI. Эти InP-мембраны с большой площадью преодолевают проблему, присущую ограниченному объему материала при традиционной селективной гетероэпитаксии, и обладают потенциалом для реализации лазеров с электрическим приводом с минимальными потерями на поглощение, вызванными металлом. Из InP-мембраны на изоляторе можно также изготавливать различные микро / наноструктуры III – V, используя обычную нисходящую обработку; Примеры включают нанопроволоки, нано-ребра, микродиски и микрокольца.Кроме того, мембраны InP могут служить в качестве шаблонов для повторного роста многочисленных структур III – V и впоследствии сделать возможным реализацию различных оптоэлектронных устройств III – V. Эти уникальные особенности делают InP-on-insulator элегантной платформой для реализации фотонных функций.

a — d Изображения на оптическом микроскопе выращенного массива InP с различной длиной рисунка: 500 нм, 1 мкм, 5 мкм и 10 мкм соответственно.Шкала a — d ,5 мкм. e , f СЭМ-изображение вида сверху выращенного образца на участке длиной 1 мкм с рисунком. Шкала e , f , 5 мкм. г СЭМ-изображение поперечного сечения под углом 52 ° после резки фокусирующим ионным пучком, показывающее плоскостной InP, выращенный латерально из Si. Масштабная линейка, 2 мкм. h СЭМ-изображение под углом 52 ° InP мембраны, выросшей на длину образца 10 мкм после удаления верхнего оксида и Si. Масштабная линейка, 2 мкм

Характеристики материалов

Мы проверили кристаллическое качество субмикронных проводов и мембран InP, а также эффект сужения дефектов бокового подхода ART с помощью обширных характеристик просвечивающей электронной микроскопии (TEM).Как показано на схеме на рис. 3а, мы сначала подготовили ламели ПЭМ вдоль эпитаксиального направления с использованием фокусирующего ионного пучка (FIB). Мы исследовали образцы ПЭМ сегментов InP с различной длиной рисунка и наблюдали аналогичное качество кристаллов и механизмы управления дефектами. На рис. 3b представлено репрезентативное изображение просвечивающей электронной микроскопии InP мембраны с длиной рисунка 10 мкм. Эпитаксиальный InP зажат между верхним и скрытым оксидным слоем без каких-либо наблюдаемых ПД. Фронт роста InP-мембраны содержит верхнюю (111), среднюю (110) и крошечную нижнюю грани \ ((\ bar 1 \ bar 11) \), что указывает на идентичную кристаллическую структуру слоя Si-устройства.Кристаллическая структура InP повторяет структуру слоя Si устройства и подтверждается как цинковая обманка, о чем свидетельствуют увеличенные фотографии ПЭМ на рис. 3e и дифракционная картина быстрого преобразования Фурье (FFT) на рис. 3f. Осмотр гетерограницы InP / Si показывает, что напряжение, вызванное несоответствием решеток, ослабляется за счет образования высокой плотности штабелирования неупорядоченных слоев (рис. 3c, d). Большинство этих {111} -ориентированных нарушений упаковки проходят параллельно поверхности Si и заканчиваются на верхнем и скрытых оксидных слоях.Благодаря большому соотношению сторон боковых оксидных канавок, любые TD, распространяющиеся вдоль плоскостей {111}, блокируются верхним оксидным слоем ³³ (подробности см. На дополнительном рисунке S3). Мы также подготовили пластинки ПЭМ, перпендикулярные эпитаксиальному направлению, чтобы дополнительно оценить кристаллическое качество эпитаксиального InP, как показано схемой на рис. 3g. На рис. 3h, i показаны фотографии поперечного сечения мембраны InP, полученные методом ПЭМ, с длиной рисунка 10 мкм и 2 мкм соответственно, а на рис.3j представляет ПЭМ-фотографию поперечного сечения субмикронной проволоки из InP с длиной рисунка 500 нм. Пластинки ПЭМ находятся на расстоянии около 2,6 мкм, 3,9 мкм и 2,3 мкм от Si в этих трех проверках ПЭМ, соответственно. Как и ожидалось, InP инкапсулирован оксидом во всех направлениях и демонстрирует бездислокационную характеристику, чему способствует большое расстояние от Si. Тем не менее, мы наблюдаем два типа дефектов упаковки (ДУ) внутри всех образцов: один тип внутри InP, а другой — в оксидном углу.Первый тип SF происходит от гетерограницы InP / Si ²⁰ ; В отличие от ДУ в обычной бланкетной гетероэпитаксии, которые сопровождаются дислокациями на обоих концах, эти ДУ проходят через весь эпитаксиальный InP и, таким образом, избегают введения нежелательных центров безызлучательной рекомбинации внутри InP ²³ (более подробное обсуждение см. в дополнительном разделе II). ДУ другого типа образуются на некоторых углах оксида и заканчиваются на боковой стенке оксида, как показано на увеличенных фотографиях ПЭМ на рис.3к. Некоторые из оксидных углов с закрытой гранью {111} InP, образующей воздушный зазор (см. Рис. 3l), не имеют сформированных SF. Эти нарушения наложения, возможно, происходят из-за несовершенства поверхности в ограниченных углах оксида, что широко отмечается при традиционной селективной гетероэпитаксии. Плотность этих двух типов SF может быть уменьшена путем оптимизации параметров роста зародышеобразования InP и изготовления структур роста с более гладкими оксидными боковыми стенками.

a Схематическое изображение ламеллы ПЭМ в эпитаксиальном направлении. b Изображение мембраны InP, полученное методом просвечивающего электронного микроскопа, при длине паттерна 10 мкм. Шкала шкалы, 1 мкм. c Изображение ПЭМ вблизи области Si. Масштабная шкала 200 нм. d Увеличенное изображение ПЭМ на интерфейсе InP / Si. Шкала шкалы: 5 нм. e , f Типичное изображение ПЭМ в основной эпитаксиальной области и соответствующее изображение БПФ. Масштабная шкала 10 нм. г Схема для иллюстрации ламеллы ПЭМ, перпендикулярной эпитаксиальному направлению.ПЭМ-изображение мембраны InP ( h , i ) с длиной шаблона 10 мкм и 2 мкм и субмикронного провода InP ( j ) с длиной шаблона 500 нм соответственно. Масштабная линейка h — j , 1 мкм, 200 нм и 100 нм соответственно. k Увеличенное изображение i в ПЭМ в правом нижнем углу оксида. Масштабная шкала, 20 нм. l Увеличенное изображение ПЭМ h в правом верхнем углу. Масштабная линейка, 100 нм

Мы также охарактеризовали субмикронные проволоки и мембраны InP, используя измерения микрофотолюминесценции (PL) и дифракции рентгеновских лучей (XRD) при комнатной температуре.Непрерывный лазер с длиной волны 514 нм, сфокусированный в пятно диаметром 3,5 мкм, использовался в качестве источника возбуждения для измерения одного сегмента InP (см. Раздел «Методы»). На рис. 4а показаны спектры фотолюминесценции при комнатной температуре проволок InP с длиной рисунка 500 нм и 1,0 мкм, а также мембран из InP с длиной рисунка 2,0 мкм, 5,0 мкм и 10,0 мкм. Пик ФЛ находится на длине волны 925 нм, что указывает на кристаллическую фазу цинковой обманки. В целом интенсивность излучения ФЛ усиливается с увеличением материального объема эпитаксиального InP.Интенсивность фотолюминесценции InP мембран с длиной паттерна 5 мкм и 10 мкм сопоставима, поскольку накачанный объем InP в обоих случаях имеет тот же размер, что и лазерное пятно возбуждения (см. Раздел «Методы»). Мы также наблюдали немного более высокую интенсивность ФЛ субмикронных проводов InP с длиной рисунка 500 нм, чем у проволок с длиной рисунка 1 мкм, возможно, из-за оптического ограничения в наноразмерной полости InP. Ширина линии излучения ФЛ составляет ~ 28 нм, что сравнимо с таковой для коммерческих пластин InP ³² .Стоит отметить, что в то время как в мембранах InP наблюдается чистая фаза цинковой обманки, мы обнаружили наличие фазы вюрцита в небольшой части субмикронных проволок InP, о чем свидетельствует излучение ФЛ на 880 нм (см. Рис. S5 для дальнейшего обсуждения). На рисунке 4b показана кривая сканирования относительного ω − 2θ XRD для сегментов выращенного InP, на которой видны резкие пики как эпитаксиального InP, так и слоя Si. Полная ширина на полувысоте (FWHM) пика InP извлекается до такой же узкой, как 90 угловых секунд, благодаря устранению TD внутри эпитаксиального InP.Подгонка XRD для оценки деформации эпитаксиального InP показывает, что InP полностью релаксирован, на что указывает точное совмещение измеренных дифракционных пиков InP / Si и подгоночных пиков на рис. 4b (см. Раздел «Методы»).

a Спектры ФЛ при комнатной температуре выращенного InP с различной длиной диаграммы. b Относительная кривая рентгеновской дифрактометрии ω-2θ для массива InP после выращивания и аппроксимирующая кривая для 100% релаксированных пленок InP на Si

Субволновые лазерные матрицы и микродисковые лазеры на SOI

Эпитаксиальная субмикронная проволока и мембранные матрицы обладают уникальными характеристиками InP-on-Insulator и являются идеальной платформой для реализации фотонных функций.Чтобы продемонстрировать универсальность и гибкость платформы InP / SOI, мы изготовили массивы субволновых лазеров InP из проводов, а лазеры с квадратным резонатором и лазеры на микродисках из мембран с дополнительной обработкой сверху вниз. На рис. 5а показано микроскопическое изображение массива InP-лазеров с длиной рисунка 500 нм, а на рис. 5b — фотография, полученная с помощью сканирующего электронного микроскопа под наклоном. Поскольку InP излучает ~ 920 нм, а Si не является прозрачным в этом диапазоне длин волн, мы выборочно удалили слой Si-устройства после травления верхнего оксидного слоя (см. Раздел «Методы»).Доработанные субволновые проволочные лазеры InP располагаются прямо над скрытым оксидным слоем и демонстрируют резонатор Фабри-Перо (FP) с длиной резонатора ~ 3,0 мкм и оптической обратной связью от границы раздела InP / воздух на обоих концах (см. Увеличенное изображение SEM фотографии на рис. 5в). Обычно нанопроволочные лазеры III – V часто переносятся на подложки с низким показателем преломления, чтобы поддерживать сильное оптическое ограничение и, таким образом, демонстрировать случайные ориентации и положения. Хотя нанопроволочные лазеры были продемонстрированы на естественных подложках III – V или подложках (111) Si, они часто имеют вертикальную конфигурацию ³⁶ .В отличие от этого, положение и ориентация субволновых проволочных лазеров в этой работе можно точно контролировать с помощью литографии, и лазеры имеют плоскую конфигурацию и тот же уровень, что и слой Si-устройства. InP-мембраны большого размера, расположенные прямо на изоляторе, могут иметь множество фотонных геометрических форм, и мы проиллюстрировали эту универсальность, изготовив квадратные резонаторы и лазеры на микродисках. На рис. 5d представлено СЭМ-изображение вида сверху лазера с квадратным резонатором, полученное путем настройки эпитаксиальной ширины, близкой к длине рисунка; длина лазера с квадратным резонатором ~ 2.0 мкм, а сторона измеряется как 2,2 мкм. Мы использовали коллоидную литографию для определения микродисков, как показано на схеме на рис. 5e (см. Раздел «Методы»). На рис. 5f показано типичное СЭМ-изображение изготовленных лазеров на микродисках с воздушной оболочкой на скрытом оксидном слое с круглыми полостями и гладкими боковыми стенками; диаметр микродискового лазера составляет ~ 1,4 мкм.

a Изображение, полученное с помощью оптического микроскопа InP субволновых проволочных лазеров с длиной рисунка 500 нм после удаления верхнего оксида и кремния.Масштабная линейка 5 мкм. b СЭМ-изображение под углом 52 ° субволновой лазерной матрицы InP на КНИ при длине диаграммы 500 нм. Масштабная линейка 5 мкм. c СЭМ-изображение субволновых лазеров под углом 52 °. Масштабная линейка, 2 мкм. d СЭМ-изображение лазера с квадратным резонатором, вид сверху. Шкала шкалы, 1 мкм. e Схема технологического процесса лазеров на микродисках. f СЭМ-изображение под углом 70 ° изготовленного лазера на микродисках на КНИ. Масштабная линейка, 500 нм

Мы исследовали оптические свойства лазеров с субволновой проволокой, квадратным резонатором и микродисками, используя самодельную систему ФЛ, и все эти лазеры могут работать при комнатной температуре при оптическом возбуждении.Источником возбуждения служил титан-сапфировый лазер с длиной волны 750 нм, длительностью импульса 100 фс и частотой следования 76 МГц (см. Раздел «Методы»). На рис. 6а представлены спектры ФЛ субволнового проволочного лазера при комнатной температуре с длиной диаграммы направленности 500 нм и шириной эпитаксии 3 мкм. При малой мощности накачки регистрировалось широкое излучение ФЛ с максимумом ~ 920 нм; выше порогового значения, острый пик на 905 нм выделяется из спонтанного излучения и имеет ширину линии 2,4 нм. На вставках к рис. 6а показаны записанные изображения субволнового лазера ниже и выше порога, контрастируя слабое и некогерентное излучение до генерации и яркое и когерентное излучение после генерации.На рисунке 6b представлена ​​кривая свет-свет (L-L) и изменение ширины линии измеренного проволочного лазера; четкий излом на L – L-кривой вместе с сужением ширины линии дополнительно свидетельствует о режиме генерации при комнатной температуре. Мы также выполнили моделирование для изучения режима генерации проволочного лазера. Исходя из расчета коэффициента отражения моды, мода TEM _1,0 показывает наивысшую отражательную способность на торце (~ 84% при 905 нм) и, таким образом, наиболее вероятно является режимом генерации. На рис. 6в, г представлена ​​смоделированная мода ТЕМ _1,0 под разными углами.На рис. 6е показаны спектры излучения лазера с квадратным резонатором длиной 2,0 мкм при комнатной температуре, а на рис. 6е показаны эволюция интенсивности излучения и ширины линии при увеличении мощности накачки. Как и в случае с проволочным лазером, мы наблюдали пик генерации на длине волны 918 нм с четкими полосами выше порога, явным перегибом на кривой L – L и очевидным сужением ширины линии около порога. На рис. 6g, h показаны профили электрического поля в поперечном сечении и на виде сверху моды квадратного резонатора в виде шепчущей галереи (WG); резонансная длина волны которого хорошо согласуется с экспериментальными результатами.На рисунке 6i показаны спектры излучения лазера на микродисках диаметром 1,4 мкм при комнатной температуре, а на вставке представлены записанные изображения лазера на микродисках ниже и выше порогового значения. В этом случае пик генерации находится на длине волны 913 нм, интенсивность и ширина линии которой показаны на рис. 6j. На рис. 6k, l показаны профили мод в поперечном сечении и виде сверху лазерной моды TE _13,1 с модой, расположенной на периферии полости микродиска. Лазерная генерация при комнатной температуре от этих лазеров с различными типами резонаторов свидетельствует о превосходном качестве субволновых проводов и мембран InP, избирательно выращенных на пластинах КНИ, и демонстрирует гибкость и большой потенциал этой платформы InP / SOI для будущей интегрированной фотоники.

a , e , i Спектры ФЛ субволновых лазеров на проволоке, квадратном резонаторе и микродисковых лазерах при комнатной температуре соответственно. На вставке показаны соответствующие изображения излучения ниже и выше порога. b , f , j Кривая света – света (L – L) и сужение ширины линии соответствующих лазеров. Расчетные профили мод лазерного излучения InP-лазеров

Алгоритмическая фотография — Питер Кранц

В течение долгого времени мне было интересно подумать о том, что бы произошло, если бы камеры могли делать больше, чем просто фиксировать в некоторой степени реалистичное представление падающего света через объектив.Я экспериментировал с длинными выдержками, щелевым сканированием и другими способами интерпретации мира. Но что, если бы мы могли выразить фотографическое видение с помощью алгоритма, который мы могли бы использовать при съемке изображений?

У нас уже есть инструменты для ретуширования изображений в пост-продакшене, но мне интересно узнать, что происходит, когда я реализую идею в алгоритме до того, как будет захвачен какой-либо свет, а затем применить его в окружающей среде. Я думаю, что это можно назвать алгоритмической фотографией, и я попытался дать определение и показать несколько примеров ниже.

Определение алгоритмической фотографии

Алгоритмическая фотография — это фотографический метод, включающий разработку алгоритма обработки фотографической информации для создания фотографии. Разработка алгоритма происходит до фотографирования и может включать простое или сложное программное обеспечение для достижения фотографической цели. Таким образом, алгоритмическая фотография отличается от ручного ретуширования фотографий или ручного добавления цифровых эффектов при постобработке.

Алгоритмическая камера — это система камеры, реализующая фотографическую идею в алгоритме, содержащую устройство захвата и устройство вывода, отображающее визуальное представление.

Примеры алгоритмической фотографии:

• Обработка изображения через черно-белый фильтр.
• Использование алгоритма обнаружения лиц и размытия фона для имитации небольшой глубины резкости.
• Обработка видео для создания неподвижного изображения по заранее заданному алгоритму.
• Использование искусственного интеллекта для создания новых изображений из текста, дополненного фотографическим вводом.

Можно утверждать, что почти все цифровые камеры и камеры смартфонов, в частности, являются алгоритмическими камерами, поскольку они каким-то образом обрабатывают фотографическую информацию с помощью предопределенного алгоритма (например, размытие фона для создания более привлекательного портрета или корректировка луны в ночное время фото). Однако с ростом доступности передовых моделей искусственного интеллекта для визуального восприятия у фотографов появляется гораздо более широкий выбор алгоритмов.

Алгоритмическая фотография может рассматриваться как относящаяся к процессуальному искусству («где процесс ее создания не скрывается, но остается важным аспектом завершенной работы»).

Создание алгоритмической фотографии

В простейшей форме один из способов подхода к алгоритмической фотографии — это описать алгоритм простым языком, например:

1. Преобразование изображения в черно-белое.

Однако с демократизацией доступа к моделям машинного обучения и необходимой вычислительной мощностью теперь практически любой может разработать алгоритм, поддерживающий гораздо более сложные идеи.

Цветная подключенная алгоритмическая камера для птиц

Это пример созданной мной алгоритмической камеры.

1. Настройте палитру из 10 цветов со следующими цветами:
2. Выберите два случайных цвета из палитры и раскрасьте изображение.
3. Для всех птиц на изображении:
   1. Проведите желтую линию от центра птицы до всех остальных птиц.
   2. Покройте птицу случайным цветом из палитры .

Для реализации этого алгоритма в программном обеспечении требуется использование нескольких инструментов. В приведенном выше примере я реализовал первые два шага алгоритма, используя PIL, библиотеку изображений Python. Я установил камеру на квадратный формат захвата, вышел и сделал снимок:

Выполнение следующих шагов включает обнаружение птиц и их контуров. Facebook AI Research предоставляет отличную библиотеку под названием Detectron 2, которая поставляется с множеством предварительно обученных моделей для обнаружения и сегментации. Я использовал модель сегментации Panoptic для входного изображения и получил координаты прямоугольника для каждой птицы. Используя эти координаты, можно было соединить всех птиц желтой линией с помощью библиотеки aggdraw на раскрашенном изображении.

После соединения птиц желтой линией можно было использовать маски Detectron2, чтобы покрыть каждую птицу, используя оставшиеся цвета в палитре.

Каждый раз, когда делается снимок этой алгоритмической камерой, применяется один и тот же алгоритм.

Другой пример: ножной разъем алгоритмической камеры

Этот алгоритм включает обнаружение ног людей с помощью модели ключевых точек COCO для Detectron2.Учитывая доступность передовых моделей для обнаружения объектов, барьер для создания более совершенной алгоритмической фотографии был снижен. Надеюсь, эта статья вдохновила вас на размышления о собственных идеях алгоритмической фотографии.

Если вы хотите увидеть больше моих фотографических экспериментов, подписывайтесь на меня в Instagram здесь. Мне бы хотелось узнать больше о ваших идеях.

Apple выигрывает патент на усовершенствованные элементы управления для их гарнитуры Future MR, которая включает в себя Eye Gaze, Siri, Touch и многое другое.

Сегодня U.S. Управление по патентам и товарным знакам официально предоставило Apple патент, который относится к пользовательским интерфейсам для взаимодействия с их будущими HMD, которые будут использовать комбинацию взгляда и сенсорного управления вместе с жестами рук и тела и даже Siri.

Более конкретно, выданный Apple патент распространяется на методы взаимодействия с устройством, устанавливаемым на голову (HMD), с помощью взгляда. Пользователь сможет использовать свои глаза для взаимодействия с объектами пользовательского интерфейса, отображаемыми на дисплее HMD.Эти методы обеспечивают более естественный и эффективный интерфейс, в некоторых примерных вариантах осуществления , позволяя пользователю управлять устройством, используя в основном взгляды глаз и жесты глаз (например, движение глаз, моргания и взгляды).

HMD включает в себя датчик (и), сконфигурированный для обнаружения различных типов пользовательского ввода, включая (но не ограничиваясь) жесты глаз, жесты рук и тела и голосовые вводы. В некоторых вариантах осуществления устройство ввода включает в себя контроллер, сконфигурированный для приема нажатий кнопок (например,g., вверх, вниз, влево, вправо, ввод и т. д.).

В патенте Apple на фиг. 19C ниже, мы видим, что пользователю (№ 200) проще выбрать конкретную фотографию из стопки (№ 1908). На фиг. 19C фотографии № 1908a-1908e перемещены из стола (№ 1912) и представлены вертикально и разложены в середине поля зрения пользователя. В ответ на получение пользовательского ввода (# 1910a) фотография (# 1908a) в крайнем левом положении обозначается (например, предварительно выбрана). Обозначение фотографии обозначается индикатором фокусировки (# 1914), который включает жирную рамку вокруг фотографии 1908a.В некоторых вариантах осуществления индикатор фокуса включает в себя указатель, курсор, точку, сферу, выделение, контур или фантомное изображение, которое визуально идентифицирует обозначенный объект. В некоторых вариантах осуществления HMD-устройство №1900 отменяет обозначение фотографии №1908а и возвращает фотографии №1908 в таблицу в ответ на получение дополнительного ввода (например, выбора кнопки выхода или отрыва касания).

На ФИГ. 19D выше, пользовательский ввод №1910b включает в себя смахивание или перетаскивание слева направо.В некоторых вариантах осуществления пользовательский ввод №1910b может включать в себя нажатие кнопки направления или устную команду («двигаться вправо»). В ответ на прием пользовательского ввода 1910b индикатор # 1914 фокусировки перемещается с фотографии # 1908a в соответствии (например, в направлении) пользовательского ввода # 1910b, чтобы обозначить фотографию # 1908b.

Патентные фигурки на другие движущиеся объекты

На рисунках патентов ниже Apple иллюстрирует, как использование взгляда и сенсорного управления будет использоваться для перемещения предметов в виртуальной среде, таких как картины / фотографии и даже объект кружки кофе.

Позже в патенте Apple отмечает, что система HMD включает в себя датчик (и) изображения, необязательно включает в себя один или несколько датчиков изображения в видимом свете, таких как датчики устройства с заряженной связью (CCD) и / или дополнительный металл-оксид-полупроводник (CMOS). датчики, работающие для получения изображений физических объектов из реальной окружающей среды.

Датчик (и) изображения также необязательно включает в себя один или несколько инфракрасных (ИК) датчиков, таких как пассивный ИК-датчик или активный ИК-датчик, для обнаружения инфракрасного света из реальной окружающей среды.Например, активный ИК-датчик включает в себя ИК-излучатель, такой как ИК-точечный излучатель, для излучения инфракрасного света в реальную среду. Датчик (и) 108 изображения также необязательно включает в себя одну или несколько камер для событий, сконфигурированных для захвата движения физических объектов в реальной среде.

также необязательно включает в себя один или несколько датчиков глубины, сконфигурированных для определения расстояния до физических объектов от системы HMD. В некоторых вариантах осуществления HMD использует датчики CCD, камеры событий и датчики глубины в комбинации для обнаружения физической среды вокруг HMD.

Хотя патент в первую очередь ориентирован на будущую гарнитуру со смешанной реальностью (MR), описанные методы также могут быть применены к обычным пользовательским интерфейсам на таких устройствах, как настольные компьютеры, ноутбуки, планшеты и смартфоны.

Подробнее см. В патенте Apple 11 132 162. Некоторые из изобретателей, перечисленных в этом выданном патенте, включают:

Тим Ориол: Старший менеджер по разработке программного обеспечения, Группа технологического развития

Алексис Паланги: Старший инженер-программист

Райан Бургойн: Разработчик программного обеспечения.Пришел в Apple через приобретение Metaio

Рахул Наир: Инженер-прототип

Сохранить летнюю щедрость? Да мы можем.

АТЛАНТА — В конце лета, когда изобилие садов находится на пике, нет ничего лучше хорошего, старомодного консервного сеанса.

Когда дело доходит до консервирования, на ум сразу приходят ягоды бузины. Они росли во дворе нашего соседа, но кусты были такими высокими, что плоды свешивались через забор.Каждый год моя мама, никогда не отказывавшаяся от бесплатной еды, возвращалась туда с большим ведром и ножницами и срезала с веток фиолетовые грозди в форме зонтика.

Мы часами отделяли крошечные шары от древесных частей. Мне нравилось это ощущение скатывания ягоды со стебля пальцами. Затем пришло время отжимать сок: запарить фрукт в небольшом количестве горячей воды, раздавить его, вылить мякоть на марлю и отжать так сильно, чтобы ткань стала пурпурной.

Я была маленькой мисс Хелпер, которая измеряла сахар, разрывала упаковки с пектином, размешивала лимонный сок и заскучала, ожидая, пока липкая темная жидкость достигнет точки гелеобразования.Тем временем мама зажгла огонь под горшком, наполненным водой; банки, крышки и завинчивающиеся ленты — все необходимое для стерилизации.

У нас не было кондиционера. Вы можете себе представить, насколько жарко стало на кухне.

Благодаря моей маме, я ценю звук открывающихся крышек, которые сигнализируют о правильно запечатанной банке добра — лучший подарок, когда ее открывают в бесплодные зимние месяцы.

К тому времени, когда у меня появился собственный дом и семья, моя мама была менее энергична в отношении того, чтобы «мириться». Она дала мне свое оборудование и кулинарные книги по консервированию, но я все же предпочел консервировать со вторым пилотом.Летом я вырастила целую россыпь помидоров и собрала бушель и кусочек персиков, безусловно, принадлежит нашей катушке, посвященной консервированию матери и дочери. Снятие шкур с горячих продуктов — дело трудоемкое; сделано с семьей или друзьями, это больше похоже на болтовню в салоне красоты, как сцену прямо из «Стальных магнолий».

Консервирование — это не только для девочек. Хитч, мой бывший сосед в Сент-Луисе, король в этом деле. Во время недавней поездки, чтобы навестить маму, я зашел, чтобы сказать ему привет.Я ушел с банкой зеленых помидоров в одной руке и арбузной цедрой, манго и чатни из папайи в другой.

Я сожалел, что у меня нет с собой надлежащего подарка для обмена: одной из 10 драгоценных банок с инжирным вареньем, которые я сделал несколько недель назад. После почти 20 лет попыток выращивать инжир, у меня, наконец, было достаточно, чтобы готовить, вместо того, чтобы просто есть его с дерева.

Крышка каждой стеклянной банки увенчана золотой печатью с печатью Washington Farms (дань уважения моему старому почтовому адресу) и ананасом (символ гостеприимства).Тиснитель был подарком моей невестки во время нашего расцвета консервного производства.

День, когда я приготовил варенье из инжира, был одним из самых жарких августовских дней в Грузии. В отличие от моей мамы в те времена, мне нравится кухня с кондиционером. Тем не менее в комнате было жарко. Мне хотелось, чтобы она была рядом, чтобы помочь превратить фунты свежего инжира в консервы, а не нарезать и помешивать в одиночестве. Это был только я и пузырящаяся жидкость, которая осмелилась обжечь мне предплечья.

Когда варенье было готово и готово к упаковке, я решил посмотреть на часы, как и моя мама.Он не сказал мне время; он сказал мне, что я дома.

Варенье из инжира

Инжир 5 фунтов

3/4 стакана воды, плюс еще для кипячения

6 стаканов сахара

1/4 стакана лимонного сока

Полностью залейте инжир кипятком. Дать постоять 10 минут. Слейте воду, стебель и нарежьте инжир. Должно получиться около 2 литров нарезанного инжира.

Смешайте инжир, сахар и 3/4 стакана воды в большой кастрюле. Медленно доведите до кипения, помешивая, пока сахар не растворится.Готовьте быстро до точки застывания. Чтобы проверить температуру гелеобразования, окуните холодную металлическую ложку в кипящее желе. Выньте ложку. Наклоните ложку на блюдо, чтобы капал сок. Сначала желейные капли будут легкими и сочными. По мере того, как смесь готовится, капли становятся больше и начинают раскрываться. Точка гелеобразования достигнута, когда желе снимается с ложки.

Другой тест — положить немного джема на небольшую тарелку и поместить его в морозильную камеру примерно на 2 минуты или пока джем не остынет до комнатной температуры.Потрогайте варенье, и если оно гелеобразное, готово. Если нет, продолжайте готовить.

По мере загустения смеси часто помешивайте, чтобы предотвратить прилипание. Добавьте лимонный сок и готовьте еще 1 минуту. Снять с огня.

Разложите варенье по чистым банкам с крышками. Дайте остыть. После охлаждения храните в холодильнике до трех недель. На 5 пинт.

Пищевая ценность на столовую ложку: 40 калорий (процент калорий из жира, 1), следовые количества белка, 10 граммов углеводов, следовые количества клетчатки, следы общего жира (без насыщенных жиров), отсутствие холестерина, следы натрия.

По материалам «Ball Blue Book of Conserving» (Alltrista Consumer Products Co., 2003)

Port Max СКИДКА 58% Компания Core Tank Top Хлопок

Галилея и Север

Изображения с Голанских высот, бассейна Хуле, страны Галилейских холмов, Галилейского моря, реки Иордан, Равнина Ашера и многое другое…

$ 39,00 $ 49,99

Самария и Центр

Изображения из долины Изреель, долины Харод, горы Кармель, равнины Шарон, Самарии, Иорданского разлома, Вениамина и др. …

$ 39,00 $ 49,99

Иерусалим

Изображения Старого города, Храмовой горы, Города Давида, туннелей Западной стены, Западного Иерусалима, Масличной горы, модели Иерусалима и др …

$ 39.00 $ 49.99

Иуда и Мертвое море

Изображений из Горной страны Иудеи, Иудейской пустыни, Мертвого моря, Шефелы, Филистимской равнины и других мест…

$ 39.00 $ 49.99

Негев и пустыня

Изображения из библейского Негева, нагорья Негев, городов Набатей, Нахаль Зин, Путь специй, Пустыня Зин, Пустыня Фаран, Арава, Красное море и др. .

$ 34,00 $ 49,99

Иордания

Изображения из Гадары, Герасы, Тишбе, Джавеша Галаада, Рамофа Галаада, Пеллы, Авилы, Пенуэля и Маханаима, Телль-Дейр-Алла, Вифании за Иорданом и других мест …

$ 34,00 $ 49,99

Египет

Изображения из Гизы, Луксора, Асуана, Абу-Симбела, Александрии, Джебель-Мусы, Св.Монастырь Екатерины, Серабит эль-Хадим, Кадеш Варнеа, Вади-эль-Ариш, Суэцкий канал, Дельта и многое другое …

$ 34.00 $ 49.99

Ливан

Изображения из Тира, Сидона, Зарепты, храма Эшмун, Бейрута, Библ, Нахр эль-Кальб, Бека, Баальбек, Кедры Ливана, Карак Ной, Камид эль-Лоз, река Литани, гора Хермон и другие …

$ 34,00 $ 49,99

Восточная и Центральная Турция

Изображения с путешествия Павла и исторические места, включая Антиохию на Оронте, Селевкию, Тарс, Атталию, Пергу, Писидианскую Антиохию, Листру, Дербу и другие…

$ 34.00 $ 49.99

Западная Турция

Изображения из путешествий Павла и исторических мест, включая Эфес, Ассос, Александрию, Троаду, Милет, Колоссы, Иераполис, Миру, Патару, Книд и другие …

$ 34.00 $ 49,99

Греция

Изображения из Афин, Элевсина, Коринфа, Истмии, Кенхреи, Микен, Олимпии, Дельф, Никополиса, Додоны, Метеоры, горы Олимп, Диона, Верии, Фессалоники, Неаполя, Амфиполя и других мест…

$ 34,00 $ 49,99

Греческие острова

Изображения островов, посещенных апостолом Павлом, как записано в Книге Деяний, а также острова Патмос, где Иоанн увидел Откровение Иисуса Христа …

$ 24,00 $ 49,99

Кипр и Крит

Изображения из Саламина, Пафоса, Куриона, Аматуса, Аламану, Хирокитии, Никосии, Ларнаки, Салмона, Итаноса, Ираклиона, Кносса, горы Ида, Гортина, Фестоса, Фейри-Хейвэнса и других мест…

$ 24.00 $ 49.99

Италия и Мальта

Изображения из Помпеи, горы Везувий, Геркуланума, Аппиевой дороги, Путеол, Сиракуз, залива Св. Павла, Хагар-Ким, залива Св. Томаса, рифа Мунксар и др. .

$ 24.00 $ 49.99

Рим

Изображения с Форума, Колизея, Арки Тита, Палатинского холма, Пантеона, Мамертинской тюрьмы, Большого цирка, Ватикана, реки Тибр, Собора Святого Павла за стенами, Остии и других мест. ..

$ 24.00 $ 49.99

Деревья, растения и цветы

Изображения миндаля, рожкового дерева, финиковой пальмы, инжира, оливы, граната, сикомора-инжира, винограда, пшеницы, ячменя, льна, чеснока, сорго, иссопа, каперсы, фенхель, мальва, розмарин, цитрон, дуб…

$ 34.00 $ 49.99

Культурные изображения Святой Земли

Изображения урожая зерновых, урожая винограда, сбора оливок, вспашки, пастухов, стрижки овец, сторожевых башен, колодцев, цистерн, изготовления гончарных изделий, самаритянской пасхи и многого другого.